Память DRAM будет встроена в процессоры

Когда речь идет об увеличении производительности процессоров, то обычно это обеспечивается длиной конвейера, числом ядер, объемом кэш-памяти различного уровня и рабочей частотой. Однако, редко случается слышать о том, как процессор взаимодействует со всеми этими компонентами и такие технологии обычно не попадают в рекламные брошюры. Но компания Intel намерена изменить такой порядок вещей: ее инженеры раздумывают над интеграцией DRAM-памяти в процессор.

Одна из главных целей, которые хотят достичь разработчики при проектировании нового чипа, это максимальная загруженность процессора, а с увеличением их производительности нужно все с большей скоростью передавать данные для расчетов. Поэтому с каждым новым поколением процессоров улучшается пропускная способность внутренней процессорной шины: к примеру, в 65-нм процессоре Kentsfield она составляла 8—9 Гб/с, а в 45-нм Harpertown — уже 18—20 Гб/с.

На прошлой неделе прошло мероприятие Research@Intel Day, главным событием которого, пожалуй, стало представление технологии, призванной практически ликвидировать задержки между оперативной памятью и процессором.

Небольшая группа разработчиков из Intel уменьшила размер ячеек DRAM всего до двух транзисторов и смогла полностью избавиться от конденсаторов. Эти достижения могут изменить применение DRAM в будущем. К примеру, дорогая и сложная SRAM, которая используется как буферная память в процессорах, может быть замененная DRAM

Конечно, SRAM имеет некоторые преимущества над DRAM, такие как более низкое энергопотребление и высокая частота. Однако, SRAM значительно дороже DRAM и каждая ее ячейка состоит из целых 6 транзисторов — все это не позволяет устанавливать большой объем кэш-памяти.

Intel говорит, что DRAM, произведенная по 65-нм техпроцессу, может работать на частоте 2 ГГц, таким образом, достигается пропускная способность, исчисляемая в 128 Гб/с. Если Intel удастся поднять частоту до уровня ее процессоров Core 2 QX9770/9775, то пропускная способность увеличится до 204,8 Гб/с. Т. е. будет достигнуто 10-кратное преимущество над существующей технологией кэш-памяти второго уровня. Но что более важно, это позволит полностью изменить программную модель, т. к. не будет испытываться недостаток в кэш-памяти.

Intel намерена значительно увеличить существующие рабочие частоты своих процессоров благодаря 45-нм технологии с использованием high-k-затворов. Следующим шагом, будет внедрение DRAM в процессор под кодовым именем Terascale, который будет обладать огромным количеством x86-ядер и станет наследником архитектур Larrabee и Itanium, т. е. возьмет на себя задачи графических расчетов и расчетов общего назначения.

Источник: TG Daily

©  nvWorld.ru