Число транзисторов в микросхемах продолжает расти по закону Мура
Хотя темпы роста в некоторых категориях полупроводниковых изделий замедлились, одна из формулировок закона Мура — удвоение количества транзисторов в расчете на одну микросхему каждые два года — остается ориентиром, которому продолжает следовать отрасль. Во всяком случае, в этом уверены аналитики IC Insights, подготовившие очередной отчет на эту тему. В нем отслеживается динамика за последние пять десятилетий в сегментах DRAM, флеш-памяти, микропроцессоров и графических процессоров. Во всех сегментах увеличение степени интеграции следует кривой, предсказанной Муром.
Аналитики отмечают, что в течение последних 10–15 лет на темпы роста числа транзисторов влияют такие факторы, как энергопотребление и сложности масштабирования. Например, среднегодовой рост количества транзисторов в микросхемах памяти DRAM в начале 2000-х годов был близок к 45%, но постепенно замедлился примерно до 20%. Ежегодный рост плотности флэш-памяти оставался на уровне 55–60% в год до 2012 года, но с тех пор составляет около 30–35% в год. Количество транзисторов в микропроцессорах Intel для ПК росло примерно на 40% в год до 2010 года, но в последующие годы этот показатель снизился вдвое. В серверных процессорах Intel количество транзисторов почти прекратило расти в середине и конце 2000-х годов, но затем рост возобновился на уровне около 25% в год. Источник отмечает, что компания Intel перестала публиковать данные о количестве транзисторов в 2017 году.
В процессорах Apple A количество транзисторов с 2013 года растет на 43% в год, так что в процессоре A13 насчитывается 8,5 млрд транзисторов.
Из огромного количества транзисторов состоят высокопроизводительные графические процессоры. В отличие от микропроцессоров, они не имеют значительной кэш-памяти, но располагают большим числом блоков для параллельных вычислений.
© iXBT
