Японские ученые создали новый материал для дисплеев OLED с транзисторами IGZO-TFT
Исследователи, работающие в Токийском технологическом институте, создали новый материал для дисплеев OLED с транзисторами IGZO-TFT.
Органические полупроводники характеризуются низким сродством к электрону, и как следствие, высоким барьером инжекции электронов из катода в активный слой. Кроме того, до сих пор были неизвестны прозрачные материалы с высокой мобильностью электронов, которые можно было бы использовать для транспортировки электронов к активному слою, так что этот слой приходится делать очень тонким. В свою очередь, это увеличивает риск короткого замыкания. Разработка японских ученых устраняет описанные проблемы.
В качестве основы для нового материала исследователи использовали прозрачный аморфный оксид. Как утверждается, полученный материал улучшает характеристики дисплеев OLED с управляющими транзисторами IGZO-TFT. Кроме того, его использование удешевляет производство, поскольку материал химически стабилен, и равномерную пленку из него можно сформировать на подложке большой площади при комнатной температуре.
Источник: Токийский технологический институт
Теги:
OLED
Комментировать
© iXBT
