Apacer SDM II M1: прогрессивный компактный SSD для мобильных устройств
Вслед за MO-297 - стандартом 1,8-дюймового твердотельного накопителя (SSD), организация JEDEC представила новый стандарт - MO-300 для mSATA твердотельных накопителей. В связи с этим компания Apacer представила рынку новое решение, отвечающее данной спецификации - SDM (SATA Disk Module) II М1. Благодаря 52-контактному позолоченному разъему mSATA и миниатюрному PCIe форм-фактору (50,8x29,8 мм), новинка примерно на 75% меньше по размеру, чем обычные 2,5" SATA твердотельные накопители. Из-за своего форм-фактора SDM II М1 получил признание со стороны многих производителей и успешно внедряется в различные устройства для мобильной связи.
Новинка от компании Apacer - SDM II М1 произведена на базе высоконадёжного SLC чипа. Модуль поддерживает скорость передачи 3,0 Гбит/с с последовательной максимальной скоростью чтения/записи до 100/100 Мбайт/с. На рынке представлены модели SDM II М1 емкостью от 4 до 32 Гбайт. Для более надежного соединения с материнской платой, на дне продукта имеются парные отверстия, способствующие повышению безопасности системы при одновременном снижении вибрации и колебаний.
Для удовлетворения требований различных сегментов рынка компания Apacer также представила другой продукт в этой же серии - модуль SDM II М1-M на основе MLC чипа (Multi-Level Cell). Скорость последовательного чтения/записи SDM II М1-М достигает 95/50 Мбайт/с. На рынке представлены модели SDM II М1-М ёмкостью от 4 до 64 Гбайт.
Обе модели оснащены функцией Global Wear Leveling, технологией S.M.A.R.T, 8/15-битной функцией коррекции ошибок ECC и функцией предотвращения утери данных при отключении электроэнергии. Новинки соответствуют установленным вооруженными силами США стандартам MIL-STD-810F.
Apacer SDMII М1 и SDMII М1-M от компании уже поступили в продажу.
Ранее редакция THG сообщала, что новый метод записи для NAND флеш-памяти, разработанный учеными, поможет значительно снизить потребление электроэнергии SSD-накопителями. С помощью новой технологии исследователи из токийского университета снизили рабочее напряжение до 1 В и получили возможность записи на 100 микросхем NAND одновременно, что в итоге вырастает в скорость записи на уровне 9,5 Гбайт/с.
