AMD сделал шаг к 22-нм техпроцессу
Компания AMD совместно с IBM объявила об изготовлении «полномасштабного» пробного рабочего образца микросхемы, в которой первый слой металлических соединений создан с помощью EUV-литографии (литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения).
Предыдущие образцы, полученные с помощью EUV-литографии, не были «полномасштабными», поскольку при их производстве EUV-литография была задействована лишь для малой части микросхемы.
Литография позволяет переносить на множество слоев кремниевой подложки сложные микросхемы с миллионами транзисторов. То, насколько миниатюрными могут быть транзисторы и их соединения, напрямую зависит от длины волны света, используемого для переноса схемы на подложку. В EUV-литографии используется длина волны 13,5 нм, которая значительно короче применяемой сегодня в литографии длины волны 193 нм.
EUV-литография должна быть полностью проверена и допущена к производству до 2016 г., на который запланировано введение 22-нм технологического процесса.
© CNews
