Полупроводниковая промышленность перейдет на 450-мм подложки в 2012 году
Корпорации Intel, Samsung Electronics и TSMC приняли соглашение о начале сотрудничества с целью перехода на 450-мм подложки для интегральных микросхем к 2012 году.
Применение подложек большего диаметра обеспечит снижение себестоимости изготовления одной микросхемы. Кроме того, за счет снижения объема ресурсов, требующихся для изготовления микросхем, переход на 450-мм подложки позволит снизить общее количество вредных выбросов, вызывающих глобальное потепление.
Благодаря согласованным межотраслевым стандартам, а также совместным усилиям компаний по оптимизации изменений инфраструктуры и автоматизации производства существующих 300-мм подложек, повысится окупаемость вкладываемых инвестиций, и существенно снизятся затраты на научные исследования и разработку технологии 450-мм подложек. Это позволит свести к минимуму риск и затраты, связанные с переходом на новую технологию, что также будет способствовать развитию полупроводниковой промышленности.
© @Astera
