Новые подробности о «технологии Х»
Информация опубликованная в наших новостях о технологии X обросла новыми подробностями.
Напомним, что данная технология предназначена для сложных чипов с несколькими слоями металлизации и позволяет уменьшить энергопотребление микросхемы, а значит и снизить тепловыделение. Так наиболее характерным для этой технологии является поворот последних двух слоёв металлизации на 45 градусов относительно предыдущих (технология будет применятся в чипах с четырьмя или пятью слоями).
Благодаря этому появилась возможность сократить длину проводников внутри кристалла на 20 %. Кроме этого уменьшилась сложность компоновки микросхемы и улучшилась надёжность, что позволило повысить тактовую частоту чипа по сравнению с изготовленным по «стандартной технологии».
ATI уже обладает мобильным графическим чипом, выполненным по технологии X при 110 нм техпроцессе. Упрощение компоновки микросхемы позволило уменьшить на один количество слоёв металлизации.
Компания TSMC на данный момент проводит испытания данной технологии, оттачивает технологию получения фотомасок и литографии. Первые микросхемы, выпускаемые серийно следует ожидать уже к концу этого года и не надо даже указывать пальцем чьи GPU это будут.
Более подробно об этой технологии можно узнать на официальном сайте www.xinitiative.org.
Источник X Bit labs.
