32-гигабайтные карты памяти от Samsung созданные по 30-нанометровой технологии
Компания Samsung Electronics начала поставки 32-гигабайтные модули moviNAND - встраиваемых карт памяти с высочайшей на сегодняшний день плотностью записи, произведённых по 30-нанометровой NAND технологии. Использование карт памяти высокой плотности оправдано для hi-end телефонов и других мобильных устройств, где требуются большие объемы памяти для хранения мультимедиа-контента: видео, фото, игр и т.д.
32 Гбайт карты moviNAND - первые встраиваемые карты, основанные на 30-нанометровой технологии. Новые модули Samsung имеют вдвое большую плотность записи по сравнению с картами предыдущего поколения moviNAND, которые производятся по 40-нанометровой технологии и имеют объем 16 гигабайт.
"Продвинутым пользователям требуются все большие объемы памяти для мобильных устройств, - говорит Джим Элиот (Jim Elliott), вице-президент полупроводникового подразделения Samsung. - Samsung заняла лидирующие позиции в поставках высокоплотных модулей флэш-памяти для других компаний-производителей благодаря использованию самой экономичной 30-нанометровой технологии".
Каждое 32-гигабайтное устройство moviNAND состоит из восьми 32-гигабайтных NAND чипов, контроллера карт MMC и прошивки. 30-нанометровые устройства Samsung также доступны объёмами 16, 8 и 4 Гайтб. Собственные moviNAND модули Samsung поддерживают встраиваемый стандарт MMC (eMMC) и используют высокоскоростной интерфейс, совместно разработанный JEDEC и MMCA (MultiMediaCard Association). Самая последняя спецификация (eMMC v4.3) имеет функцию быстрой загрузки и сниженное время перехода в спящий режим, что сокращает энергопотребление.
Согласно прогнозам компании Samsung, спрос на высокоплотные модули памяти будет постоянно расти. Прогноз исследовательской компании iSuppli говорит о том, что поставки 32 Гбайт и более объёмных модулей NAND вырастут в восемь раз: со 120 млн штук в 16-гигабайтном эквиваленте, поставленных в 2009 году (13% глобальных поставок карт памяти) до 950 млн или 72% общего объёма рынка в 2013 году.
