Первый в мире 30 нм 64 Гбит чип флэш-памяти от Samsung
Мы недавно писали про то, что Toshiba готовится к переходу на 30 нм техпроцесс производства Flash-память в 2009 году. Этими шагами она надеется потеснить лидера данного рынка – Samsung Electronics.
Но сегодня Samsung не только сообщила о скором переходе на 30-нанометровые технологические нормы производства, но и объявила о создании первого в мире 30 нм чипа MLC (Multi Level Cell) NAND флэш-памяти объемом 64 Гбит (8 Гб).
Данное устройство является довольно важным шагом в направлении увеличения плотность флэш-памяти, и, по словам Samsung уже сейчас можно создать с помощью шестнадцати подобных чипов карту памяти объемом 128 Гб! Подобные достижения стали возможны благодаря новой технологии SaDPT (self-aligned double patterning technology – технология самовыравниваемого двойного шаблона) которая позволяет применять литографию с техпроцессами от 30 нм и менее.
Выход на рынок новых 64 Гбит MLC NAND чипов намечен на 2009 год, при этом, Samsung ожидает довольно большую прибыль, так как прогнозируется, что совокупный объем продаж компонентов данного объема в период с 2009 по 2011 год может достичь $20 млрд.
Источник:
Softpedia
