24 Гбит в одном кристалле: CXMT начала массовый выпуск новой памяти LPDDR5X
Китайская CXMT объявила о начале массового производства памяти DRAM на технологической платформе пятого поколения G5. Анонс состоялся на Всемирной конференции производителей 2026 года в Хэфэе. Одновременно компания представила первые микросхемы LPDDR5X, созданные на новой платформе.
Одним из главных достижений G5 стала дальнейшая миниатюризация элементов памяти. Половина шага активной области массива ячеек составляет 11,95 нм. Для этого CXMT применила технологию самосовмещенного четырехкратного формирования рисунка SAQP. Компания утверждает, что по технологическим возможностям G5 приблизилась к наиболее передовым платформам DRAM, находящимся сегодня в массовом производстве.
CXMT также переработала структуру ячеек. Соотношение сторон конденсаторов массива достигло 45:1, а применение оптимизированной для DRAM технологии металлического затвора с диэлектриком high-k (HKMG) позволило уменьшить высоту массива ячеек до 6762 нм.
При разработке G5 компания активно использовала цифровые двойники. Виртуальная платформа охватывает проектирование, подготовку к производству, непосредственно выпуск чипов и контроль выхода годной продукции. Моделирование технологических процессов призвано ускорить разработку новых поколений DRAM.
Миниатюризация заметно повысила количество кристаллов, получаемых с одной кремниевой пластины. По данным CXMT, показатель DPW (die per wafer) у G5 как минимум на 50% выше, чем у предыдущей технологической платформы. Это должно снизить себестоимость производства и одновременно улучшить энергоэффективность памяти.
Первыми серийными продуктами G5 стали две микросхемы LPDDR5X для смартфонов и другой портативной электроники. Емкость одного кристалла составляет 24 Гбит — на 50% больше, чем у сопоставимых решений предыдущего поколения. Чипы выпускаются в корпусах с 496 и 245 контактами и уже находятся в массовом производстве.
© iXBT
