В 200 раз быстрее флэш-памяти04.04.2005 07:10

В исследовательском подразделении Philips Electronics разработан новый тип энергонезависимой памяти. Ее ячейки выполнены из вещества, способного в электрическом поле изменять фазовое состояние и сохранять его при отключении тока. Подобные материалы широко применяются в основе дисков DVD-RW. В режиме записи лазер нагревает рабочий слой диска, переводя его материал из кристаллического состояния в аморфное. Процесс считывания, в свою очередь, основан на разнице в отражающей способности вещества в разных состояниях, воспринимаемой датчиком дисковода. По аналогичному принципу действует новая память Philips, в которой используется смесь иридия с сурьмой. Данное вещество меняет фазовое состояние в электрическом поле напряженностью всего 14 В/мкм, что существенно меньше в сравнении с напряжениями, необходимыми для работы современных КМОП-микросхем. Кроме того, фазовый переход в памяти нового типа занимает в 100-200 раз меньше времени, чем требуется на программирование ячейки флэш-памяти.