Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM
В понедельник представители компании «Самсунг электроникс» заявили о начале трёхмерных вертикальных микросхем NAND. В чипах флэш-памяти нового типа благодаря структуре из слоёв кремния достигаются лучшие характеристики в сравнении с двумерными чипами; согласно заявлению корейской компании, надёжность увеличится в 2—10 раз, а производительность процесса записи — в два раза. Таким образом «Самсунг» стала первой компанией в мире, запустившей массовое прозводство 3Д-чипов NAND-памяти.
Новая технология будет использоваться в широком круге задач, в том числе и для создания твёрдотельных накопителей объемом от 128 гигабайт до 1 терабайта. Продольная плотность записи новых микросхем составляет 128 бит, и они построены на основе технологии объемной памяти с ловушкой заряда (3D Charge Trap Flash). Обычная Charget Trap Flash впервые была представлена «Самсунгом» ещё в 2006 году.
Количество вертикальных слоёв микросхем достигает 24, но толщина их измеряется нанометрами, поэтому даже в микрометровом масштабе утолщение не будет заметно. Эксперты отмечают, что пределы количества слоёв пока неизвестны: сегодня это 24, в следующем поколении будет 32, а затем и это число увеличится.Читать дальше →
