Samsung начал массовый выпуск чипов памяти eUSF 3.1 на 512 ГБ для своих флагманов
Samsung запустил массовое производство модулей памяти eUSF 3.1 емкостью 512 ГБ с улучшенными показателями скорости записи до 1200 МБ/с (против 410 МБ/с у предшественника).
Чипы будут встраиваться во флагманские смартфоны. Как обещает производитель, их характеристики позволят записать файл размером 100 ГБ за 1,5 минуты. Однако скорость чтения по сравнению с eUFS 3.0 практически не изменилась и сохранилась на уровне 2100 МБ/с.
См. также: «Samsung показала три флагмана Galaxy S20 и складной смартфон
При этом производительность случайного чтения и записи у eUFS 3.1 на 60% выше. Это около 100 тысяч операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70 000 IOPS для записи. Таким образом, со смартфона будет возможно получить доступ к видео 8K или фотографиям высокого разрешения с той же скоростью, что и с ноутбука при отсутствии необходимости использовать для этого буфер.
Уже к концу года Samsung запланировал начать массовый выпуск UFC 3.1 емкостью 128 и 256 ГБ. Но, поскольку чипы производят на заводе в Китае, эти сроки могут сдвинуться в связи с эпидемией коронавируса.
Информации о том, когда выйдут первые смартфоны с новой памятью, тоже пока нет.
См. также: «Правда ли, что внутренние накопители смартфонов лучше любой карты памяти, и когда отправят на пенсию microSD?
