Популярные заблуждения про радиационную стойкость микросхем
Примерно в каждой второй теме на Хабре, касающейся космонавтики или электроники, всплывает тема радиационной стойкости. Через новости об отечественной космонавтике красной нитью проходит тематика импортозамещения радстойкой элементной базы, но в то же самое время Элон Маск использует дешевые обычные чипы и гордится этим. А изральтяне в «Берешите» использовали радстойкий процессор и тоже гордятся этим. Да и в принципе микроэлектронная отрасль в России живет по большей части за счет госзаказа с соответствующими требованиями. Наблюдение за регулярными спорами насчет того, как надо правильно строить спутники, показывает, что подготовка участников обычно невысока, а их аргументация отягощена стереотипами, случайно услышанными вырванными из контекста фактами и знаниями, устаревшими много лет назад. Я подумал, что читать это больше нет сил, поэтому, дорогие аналитики, устраивайтесь поудобнее на своих диванах, и я начну небольшой (на самом деле большой) рассказ о самых популярных заблуждениях на тему того, что такое радиационная стойкость интегральных микросхем.
Рисунок 1. Непременная красивая картинка про космическое излучение и хрупкую Землю.
Самые популярные тезисы относительно радиационной стойкости, используемые в околокосмических спорах, выглядят примерно так:
- Радстойкие микросхемы не нужны. Кубсаты прекрасно летают на обычных, на МКС стоят обычные ноутбуки Lenovo, в Dragon стоят обычные микросхемы, да даже NASA в Orion поставило обычные микросхемы!
- На спутники вполне можно ставить очень старые микросхемы, вплоть до «рассыпухи», никакая серьезная производительность там не нужна. Зато без радстойкости никуда, поэтому и летают на старье.
- Тезис, дополняющий предыдущий: радстойкие микросхемы в принципе нельзя сделать на низких проектных нормах, поэтому и применение проверенных временем компонентов не просто оправдано, но и необходимо.
- Для того, чтобы микросхема была радстойкой, необходимо и достаточно сделать ее по технологии «кремний на изоляторе» или «кремний на сапфире».
- Все «военные» микросхемы — радстойкие, а все радстойкие — «военные».
Как видите, некоторые из этих тезисов прямо противоречат друг другу — что регулярно и служит предметом спора или причиной для далеко идущих неверных выводов.
Начать разговор нужно с важного дисклеймера: радиационная стойкость не является центром мира и единственным качеством, которым должна обладать подходящая для использования в космосе или другой агрессивной среде микросхема. Радиационная стойкость — это лишь одно требование из длинного ряда, включающего в себя надежность, расширенный температурный диапазон, устойчивость к электростатическому разряду, вибростойкость — и достоверное подтверждение всех вышеперечисленных параметров, то есть длительную и дорогую сертификацию. Важно все, что может не позволить чипу проработать весь необходимый срок службы, причем большинство применений радстойких чипов предполагают невозможность ремонта или замены. С другой стороны, если по одному из параметров что-то не так, конструктор конечного изделия часто может найти способ обойти ограничение — поставить самую чувствительную к дозе радиации микросхему за толстую стенку, мониторить ток потребления уязвимого к тиристорному эффекту чипа и сбрасывать его питание при необходимости, или термостатировать чип с узким температурным диапазоном. А может не найти, и единственным способом решить поставленную задачу будет заказ новой радстойкой ASIC.
Также полезно помнить, что разработчики систем специального назначения — такие же люди, как и любые другие разработчики. Многие из них тоже любят писать ко вчерашнему дедлайну наполненный костылями код и использовать железо помощнее, чтобы он точно на нем заработал; некоторые и Ардуино бы использовали, если б оно было соответствующим образом сертифицировано. И, разумеется, люди, которые ставят задачи разработчикам систем специального назначения и разработчикам микросхем для них, редко стесняются в требованиях, и к надёжности, и к производительности, и к радстойкости. Поэтому современные проектные нормы на спутниках еще как нужны — хочется и большие объемы DRAM, и многоядерные процессоры, и самые современные ПЛИС. Я уже упомянул выше о том, что последствия плохой радиационной стойкости и других потенциальных проблем можно по крайней мере частично обойти, поэтому от применения всего этого великолепия разработчиков в большей степени удерживает ничего отсутствие данных о том, что именно надо обходить, чем коммерческий статус чипов.
Радиационные эффекты
Понятия «радиационная стойкость» и «радиационностойкая микросхема» — это грандиозные упрощения. На самом деле существует много разных источников ионизирующего излучения, и они могут влиять на функционирование электронных приборов по-разному. Соответственно, для разных применений необходима стойкость к разным наборам воздействующих факторов и разным уровням воздействия, так что «стойкая» микросхема, предназначенная для работы на низкой околоземной орбите совершенно не обязана нормально работать при разборе завалов в Чернобыле.
Ионизирующее излучение называется так, потому что выделение в объеме вещества энергии при торможении прилетающих частиц ионизирует вещество. У каждого материала своя энергия, необходимая для ионизации и создания электронно-дырочной пары. Для кремния это 17 эВ, для его оксида — 3.6 эВ, для арсенида галлия — 4.8 эВ. Также энерговыделение может «сдвинуть» атом с правильного места в кристаллической решетке (в кремнии для этого нужно передать атому 21 эВ). Созданные в веществе электронно-дырочные пары могут по-разному влиять на электрические и физические свойства и на поведение электрической схемы. Радиационные эффекты можно разделить на четыре большие группы: эффекты полной поглощенной дозы, эффекты мощности дозы, эффекты, вызванные попаданием одиночных частиц, и эффекты смещения. Это разделение — до некоторой степени условность: например, облучение потоком тяжелых ионов, вызывающих одиночные эффекты, приводит и к набору полной поглощенной дозы.
Дозовые эффекты
Полная поглощенная доза излучения измеряется в радах, с указанием вещества, поглощающего излучение. 1 рад = 0.01 Дж/кг, то есть количество энергии, выделившееся в единице массы вещества. Реже используется единица измерения Грэй, равная 100 рад (или 1 Дж/кг). При этом важно понимать, что поглощенная доза в разных веществах будет различаться для одного и того же количества ионизирующих частиц, выпущенных источником радиации (это экспозиционная доза). В случае с кремниевыми микросхемами нужный материал — это оксид кремния, потому что воздействие на него, а не на кремний, в основном влияет на электрические характеристики схемы, так как подвижность дырок в SiO2 при нормальной температуре настолько мала, что они накапливаются в оксиде, создавая встроенный положительный заряд. Типичные уровни дозовой стойкости коммерческих микросхем лежат в диапазоне 5–100 крад (Si), востребованные покупателями уровни радиационной стойкости начинаются на 30 крад (Si) и заканчиваются где-то в районе 1 Град (Si), в зависимости от назначения микросхем. Смертельная доза для человека — около 6 Грэй.
Рисунок 2. Примеры расчетов набора полной поглощенной дозы за 10 лет на различных круговых орбитах за защитой в 1 г/см^2. Источник — Н.В. Кузнецов, «Радиационная опасность на околоземных орбитах и межпланетных траекториях космических аппаратов».
Эффекты воздействия полной дозы связаны с накоплением этого положительного заряда в диэлектриках и проявляются в КМОП-схемах несколькими основными путями:
- Сдвиг порогового напряжения транзисторов, возникающий из-за накопления положительного заряда в подзатворном диэлектрике и изменения электрического поля в канале транзистора. У n-канальных транзисторов порог обычно уменьшается (но зависимость может быть немонотонной), а у p-канальных увеличивается, причем величина сдвига имеет корреляцию с толщиной подзатворного оксида, то есть с проектными нормами. Пороги транзисторов в схемах с грубыми проектными нормами могут измениться настолько, чтобы послужить причиной функционального отказа (n-канальные транзисторы перестают закрываться, p-канальные — открываться); в субмикронных технологиях этот эффект менее важен, но в аналоговых схемах способен доставить много головной боли.
- Возникновение неуправляемого тока утечки. Он может течь из истока транзистора в его же сток или в соседний транзистор. Причина утечек — накопление положительного заряда, но только не в подзатворном диэлектрике, а в толстом изолирующем. Фактически, параллельно основному транзистору формируется паразитный транзистор, напряжение на затворе которого управляется дозой радиации. Проявление этого эффекта определяется особенностями геометрии перехода от подзатворного диэлектрика к изолирующему, то есть в намного большей мере зависит от конкретной технологии, чем от проектных норм.
- Уменьшение подвижности носителей заряда из-за накопления дефектов, на которых рассеиваются носители заряда. Влияние этого фактора на субмикронные цифровые схемы на кремнии невелико, но он более важен для силовых транзисторов, в том числе на сложных полупроводниках (нитриде галлия и карбиде кремния).
- Увеличение 1/f шумов, вызванное паразитными краевыми транзисторами. Оно важно для аналоговых и радиочастотных схем. Значение этого эффекта растет с уменьшением проектных норм, когда влияние остальных дозовых эффектов уменьшается.
В биполярных схемах основной дозовый эффект — падение коэффициента усиления, вызванное ростом базового тока из-за утечки из эмиттера в базу по границе кремния и пассивирующего оксида. Другой специфический для биполярных транзисторов дозовый эффект состоит в том, что они могут (не обязательно) реагировать не только на уровень набранной дозы, но и на скорость ее набора — чем медленнее набирается доза, тем хуже стойкость. Этот эффект называется ELDRS (Enhanced Low Dose Rate Sensitivity) и он сильно усложняет и удорожает тестирование, причем часто не только биполярных, но и КМОП-схем — потому что в них тоже иногда бывают биполярные транзисторы и потому что проще заставить всех тестироваться единообразно, чем разбираться, где ELDRS может быть, а где нет.
Мощность дозы
Другая часть эффектов, связанных с мощностью дозы — это сверхбыстрый набор дозы, при котором в микросхеме генерируется настолько большое количество электронно-дырочных пар, что они не успевают рекомбинировать, и в чип вносится огромный электрический заряд, который рассасывается через линии земли и питания в течение значительного времени — на которое схема перестает работать. Это время называется «время потери работоспособности» и является основной характеристикой стойкости микросхемы или прибора к подобного рода эффектам. Кроме этого, большое количество внесенного в микросхему заряда серьезно изменяет потенциалы областей, соединенных с землей и с питанием — что может привести к возникновению тиристорного эффекта.
Именно эффекты высокой мощности дозы — то, ради стойкости к чему изначально развивалась технология «кремний на сапфире» и «кремний на изоляторе», потому что единственный способ уменьшить вносимый в схему заряд состоит в том, чтобы отделить активную область микросхемы от объема подложки, не дав заряду из подложки поучаствовать в процессе. Почему эти эффекты важны? Большая мощность дозы в течение небольшого времени — типичное следствие ядерного взрыва.
Одиночные эффекты
Одиночные эффекты связаны не с длительным воздействием излучения, а с измеримым эффектом от попадания единственной ионизирующей частицы. Их можно разделить на две большие группы:
- Неразрушающие. К ним относятся сбои в разного рода запоминающих элементах (кэш-памяти, регистровых файлах, конфигурационной памяти ПЛИС и т.д.), переходные процессы в комбинационной логике и в аналоговых схемах. Главная особенность этого вида эффектов — они не приводят к физическому разрушению микросхемы и могут быть исправлены программно или аппаратно. Более того, переходные процессы исправляются сами по себе через какое-то время (вопрос в том, насколько оно велико). Основной практический интерес представляют сбои в массивах памяти — просто потому, что они составляют львиную долю всех сбоев в силу большого количества памяти в современных микроэлектронных системах.
- Разрушающие. К ним относятся тиристорный эффект и разнообразные, но, к счастью, редкие эффекты типа пробивания затвора или лавинного выгорания транзистора. Их отличительная черта — то, что они необратимо разрушают элемент микросхемы. В случае с тиристорным эффектом чип обычно (но не всегда!) можно спасти, если быстро сбросить питание. Разрушающие эффекты представляют серьезную опасность для некоторых видов флэш-памяти и для приборов с высокими напряжениями и плотностями тока, самыми важными из которых являются силовые ключи.
Удельная энергоотдача ионизирующей частицы называется «линейная передача энергии» (ЛПЭ) и измеряется в МэВ, передаваемых за единицу длины пролета частицы в материале, на единицу плотности материала, то есть в (МэВ*см^3)/(мг*см) или в (МэВ*см^2)/мг. ЛПЭ нелинейно и немонотонно зависит от энергии частицы и взаимосвязана с длиной пробега, которая для актуальных в микроэлектронике частиц и материалов может составлять от сотен нанометров до сотен миллиметров.
Количество частиц, встречающихся в космосе, убывает с ростом ЛПЭ (см. рисунок 4). Важные значения — 30 (соответствует ионам железа) и 60 или 80 (после которых вероятность события считается пренебрежимо малой). Кроме этого, важной является цифра в 15 МэВ*см^2/(мг) — это максимальная ЛПЭ, которую могут иметь продукты ядерной реакции при попадании протона или нейтрона в кремний. Протоны — один из основных видов солнечного излучения, и хотя их собственная ЛПЭ невелика (десятые доли единицы), они оказывают существенное влияние из-за ядерных реакций и вторичной ионизации. Вторичная ионизация может возникать прямо в активной области, а может быть следствием попадания протона в атом какого-то материала с большим атомным номером — например, вольфрама или тантала. Тяжелые элементы активно используются в современной микроэлектронной технологии, например, для создания контактов от кремния к первому слою металлизации. Вторичная ионизация также является причиной, по которой не стоит для повышения радиационной стойкости паковать чипы в свинцовые коробки.
Рисунок 3. Зависимость ЛПЭ от энергии для разных типов частиц.
Отдельно стоит обратить внимание на ядра гелия (альфа-частицы) — не только потому, что их достаточно много в составе солнечной радиации, но и потому, что довольно много источников альфа-излучения можно встретить в обычной жизни.
Рисунок 4. Сравнение количества частиц разных типов за двухлетнюю миссию на орбите, по статье Xapsos et.al., «Model for Cumulative Solar Heavy Ion Energy and Linear Energy Transfer Spectra», IEEE TNS, Vol. 5, No. 6., 2007
1, 30 или 60 МэВ*см^2/(мг) — насколько это много? Порог сбоя стандартной ячейки памяти в технологии 7 нм находится намного ниже единицы, в 180 нм — в пределах от единицы до десятки. Применение специальной схемотехники позволяет поднять порог, например, до сотни, но обычно разумнее добиться цифры в 15 или 30 единиц, а остатки редких событий отфильтровать с помощью помехоустойчивого кодирования. 60 единиц — это цифра, обычно фигурирующая в требованиях по стойкости к разрушающим эффектам.
Эффекты смещения
Эффекты смещения — это локальное разрушение кристаллической решетки, то есть «выбивание» атома из предназначенного для него места. Энергия, необходимая для повреждения кристаллической решетки, обычно довольно велика, поэтому большинство пролетающих частиц не вызывают этот эффект. Зато его причиной может быть ядерная реакция в результате попадания протона или нейтрона, которых на орбите много. Такие локальные дефекты решетки приводят к уменьшению подвижности носителей заряда, росту шумов и некоторым другим эффектам. Они сказываются на обычных КМОП-микросхемах меньше, чем «обычные» дозовые эффекты, но доминируют в солнечных батареях, фотоприемниках, силовых транзисторах, а также в сложных полупроводниках, у которых нет оксида, например в арсениде галлия и нитриде галлия. Именно этим и объясняется их высокая дозовая стойкость — в них просто нет эффектов, вызывающих быструю деградацию кремниевых чипов, а то, что есть, проявляется слабее и позже. Количество излучения, вызывающего эффекты смещения измеряется в частицах (обычно протонах или нейтронах) на квадратный сантиметр площади чипа.
Итак, с описанием воздействующих факторов излучения разобрались, теперь давайте посмотрим, где и в каких сочетаниях они угрожают микросхемам.
Что? Где? Когда?
На рисунке 2 показан пример расчета набора полной дозы на разных орбитах. Дальше надо обсудить множество допущений — солнечную активность, форму, материал и толщину защиты и так далее, но в целом, несмотря на то, что рисунок представляет собой типичного сферического коня в вакууме, тренд ясен: на разных орбитах скорость набора полной дозы может различаться на пять порядков. При этом на низких орбитах, под первым поясом Ван Аллена, доза набирается так медленно, что многие обычные коммерческие микросхемы способны выдержать несколько лет в таких условиях. Да что микросхемы, даже гораздо более хрупкие люди летают там годами без серьезных последствий для здоровья. А между тем, низкие орбиты — это практически вся пилотируемая космонавтика, дистанционное зондирование земли, спутниковая связь, обещаемый уже совсем скоро спутниковый интернет и, как говорят американцы, the last but not least, практически все кубсаты запускаются на низкие орбиты.
Коммерческие микросхемы на низких орбитах
Собственно, именно из популярности и важности низких орбит и растут ноги у спекуляций на тему того, что дорогие радстойкие микросхемы не нужны, и вполне можно обходиться обычными. Но у использования в космосе коммерческих микросхем есть и подводные камни, проявляющиеся даже на низких орбитах.
Во-первых, пояса ван Аллена защищают Землю и ее ближние окрестности только от легких частиц, в основном от солнечных электроном и протонов. Более тяжелые частицы, хоть и встречаются намного реже, спокойно долетают даже до нашего последнего щита — атмосферы — и, правильно, вызывают одиночные эффекты, в том числе тиристорный эффект, способный в любой момент необратимо разрушить какую-нибудь микросхему и с ней весь космический аппарат. Поэтому применять коммерческие микросхемы можно только в случае, если приняты меры по их защите от одиночных эффектов.
Вторая проблема состоит в том, что микросхемы на спутнике — это не только процессоры и память, но и множество других видов чипов, в том числе силовых и аналоговых, и с их радиационной стойкостью все гораздо сложнее и намного менее предсказуемо. Да и современные системы на кристалле содержат большое количество нецифровых блоков; например, у большинства чипов флэш-памяти первым перестает работать используемый для записи генератор высокого напряжения, а у аналоговых КМОП-схем сдвигается опорное напряжение, генерируемое при помощи пары биполярных транзисторов, и даже небольшие утечки могут серьезно изменить рабочую точку малопотребляющих аналоговых каскадов. Стойкость силовых ключей к разрушающим одиночным эффектам может сильно зависеть от приложенного к ним напряжения, и так далее и тому подобное.
Третья важная проблема использования коммерческих микросхем в космосе состоит в том, что стойкость к полной дозе и тиристорному эффекту чувствительна к изменению параметров техпроцесса, в том числе небольшим, так что если на фабрике что-то поменяли, вы можете выкинуть результаты своих испытаний в мусорную корзину. А для коммерческих микросхем производитель гарантирует стабильность функциональных параметров, а не технологического процесса. Более того, в разных партиях вам могут встретиться кристаллы с разных фабрик; например, процессор из шестого айфона, Apple A9, производился на 16 нм TSMC и 14 нм Samsung, и пользователю не сообщалось, какая версия стоит в его телефоне. Для борьбы с этой проблемой во всем мире для разработки радстойких микросхем используются институты Trusted Foundry или сертифицированных техпроцессов — словом, какой-то формы гарантии неизменности техпроцесса со стороны фабрики.
Итого правильный ответ на вопрос «можно ли применять в космосе обычные коммерческие микросхемы?» звучит так: «Да, можно, на некоторых орбитах и при соблюдении ряда требований и условий». Полезный совет: если вы все же решили использовать коммерческий чип и вложиться в его испытания, купите запас сразу лет на десять вперед. Это, кстати, вполне себе бизнес-модель большой и уважаемой компании 3DPlus — они испытывают на радстойкость все коммерческие микросхемы подряд, находят те, которые имеют (по сути случайно) достаточные показатели, закупают большие партии и дальше пакуют чипы в собственные корпуса под собственной маркой.
Другие орбиты
Однако, спутники летают не только на низкой околоземной орбите. В качестве примера других требований давайте рассмотрим единственный способ обеспечить стабильную связь в окрестностях Северного полюса —, а это стратегически важный для России район — орбиту «Молния», названную так в честь первого запущенного на нее аппарата.
Рисунок 5. Орбита «Молния».
Главная особенность этой орбиты состоит в том, что из-за большой вытянутости (минимальная высота — около 500 км над поверхностью Земли, максимальная — до 40 000 км, период 12 часов) аппарат четыре раза в сутки пересекает радиационные пояса. Срок активного существования самых первых спутников «Молния» составлял всего около полугода — в первую очередь, из-за вызванного радиацией падения мощности солнечных панелей, которым нужно было питать мощный (орбита-то высокая) радиопередатчик.
На геостационарной орбите или на орбитах навигационных аппаратов рисунок 2 обещает нам дозу в несколько сотен крад (Si) —, а дозовая стойкость коммерческих микросхем может легко составлять 5–10 крад (Si), то есть ни о каких 10–15 годах активного существования таких чипов на орбите речи быть не может. Точнее, может, но для этого понадобится гораздо более толстая защита — или защита из чего-то более плотного, чем алюминий. Впрочем, тут мы погружаемся в дивный мир конструирования космических аппаратов, так что давайте ограничимся фразой о том, что доставка каждого килограмма на орбиту дорога, а идея спрятать наиболее уязвимую электронику поглубже внутрь корпуса, экранировав ее с помощью других компонентов — неплоха, но полностью проблем не решит.
Военные микросхемы
Занимаясь вопросом развенчания мифов о радстойкости, необходимо обязательно сказать о том, что нельзя ставить знак равенства между «радстойкими», «космическими» и «военными» микросхемами. Не все военные микросхемы — радстойкие, и не все радстойкие — военные. Если мы обратимся к американскому военному стандарту Mil-Std-883 (к американскому, потому что его российский аналог засекречен), то мы найдем в нем множество разных тестов на влияние окружающей среды — термоциклирование, влажность, воздух с морской солью и т.д. и т.п.
Радиации касаются следующие пункты:
1017.2 Neutron irradiation
1019.8 Ionizing radiation (total dose) test procedure
1020.1 Dose rate induced latchup test procedure
1021.3 Dose rate upset testing of digital microcircuits
1023.3 Dose rate response of linear microcircuits
Полная доза и мощность дозы. Одиночные эффекты? Никак нет. В техническом задании на микросхему могут фигурировать требования на стойкость к одиночным сбоям и/или тиристорному эффекту, но эти требования не стандартизованы и каждый раз определяются заново, исходя из потребностей конкретных заказчиков каждого чипа. Получается, что статус «military» не является гарантией возможности запустить микросхему в космос? Да, это так. Примером может служить судьба печально знаменитого «Фобос-грунта», гибель которого была вызвана, согласно официальной версии (очень сложно доказуемой, зато очень удобной), попаданием тяжелой заряженной частицы в американскую микросхему памяти класса «military», которая не была стойкой к одиночным сбоям.
Мирный атом и другие
Важность радиационной стойкости не ограничивается только космическими и военными применениями. Естественный радиационный фон на уровне моря во много раз ниже даже того, что происходит на низкой орбите, но атмосфера Земли не только служит последним щитом на пути космического излучения, но и рождает вторичные частицы при взаимодействии с ним. Вторичные частицы — в основном нейтроны. Появляясь в верхних слоях атмосферы, они обычно не долетают до поверхности, однако на высотах полетов гражданских авиалайнеров и доза излучения набирается значительная, и по одиночным сбоям собрана весьма внушительная статистика. В медицине давным-давно применяется рентгеновское излучение, а радиотерапия — один из важных способов борьбы со злокачественными опухолями, и в подобных установках тоже нужна электроника.
И, конечно же, не стоит забывать, что вся возня с нежно любимым всеми электронщиками бессвинцовым припоем была затеяна во многом из-за того, что свинец и некоторые другие материалы, применяемые при производстве микросхем, содержат примеси более тяжелых элементов, в частности урана, и их применение приводит к генерации небольшого, но все же хорошо измеримого потока альфа-частиц — прямо около уязвимого кремния. В случае c BGA-корпусами или 3D-сборками — по всей поверхности уязвимого кремния.
Рисунок 6. Иллюстрация шарика припоя как источника альфа-частиц.
Хорошая новость — у альфа-частиц достаточно маленькая глубина пробега в кремнии (от единиц до десятков микрон, в зависимости от энергии), и многослойная металлизация помогает уменьшить их влияние. Плохая новость — на низких проектных нормах все альфа-частицы, которые все-таки долетают до кремния, вызывают сбои, и не только одиночные, но и множественные (об этом подробнее чуть ниже). Например, в прошлом году TSMC опубликовали на 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium статью об измерении количества сбоев от загрязнения альфа-частицами в памяти по проектным нормам 7 нм, то есть эта проблема продолжает существовать и требовать каких-то действий и в мире, где все перешли на бессвинцовый припой.
Еще одно применение радиационностойких микросхем, о котором хотелось бы сказать пару слов — это физика высоких энергий и атомная энергетика. В активных зонах адронных коллайдеров и атомных реакторов (а также в технике, предназначенной для ликвидации радиационных катастроф) тоже нужна электроника, причем крайне желательно такая, которая не нуждается в замене и ремонте на протяжении значительного времени. Требования по полной поглощенной дозе для таких применений — десятки и даже сотни Мегарад (Si), то есть на три порядка больше, чем в обычных космических применениях. Дополнительно усложняет ситуацию то, что такая стойкость требуется не от цифровых схем, а от силовых и аналоговых — схем управления электроприводами и первичной обработки показаний многоканальных сенсоров. И если с обеспечением дозовой стойкости цифровых схем все более-понятно даже при больших дозах, то в случае с аналогом разработка электрической схемы имеет принципиальное значение, а сама получившаяся схема составляет даже большее ноу-хау, чем это обычно бывает в аналоговом дизайне.
Рисунок 7. Обычная и радстойкая схема источника опорного напряжения. Из статьи Y. Cao et.al., «A 4.5 MGy TID-Tolerant CMOS Bandgap Reference Circuit Using a Dynamic Base Leakage Compensation Technique», IEEE TNS, Vol.60, N.4, 2013
Проиллюстрирую масштаб задач, стоящих перед разработчиками чипов для атомной энергетики, своим любимым примером. Источник опорного напряжения (ИОН), равного ширине запрещенной зоны кремния (bandgap voltage reference) — относительно простая и хорошо известная схема. При воздействии радиации меняются параметры биполярных транзисторов, используемых в качестве диодов (падает коэффициент усиления из-за появления утечки эмиттер-база). В результате опорное напряжение обычной схемы ИОН, определяющее точность всех измерений, может сместиться, скажем, на 15–20%, что соответствует эффективной разрядности АЦП в два-три бита. У схемы справа опорное напряжение изменяется в пределах 1% (что больше 7 бит) при дозе ионизирующего излучения в 4.5 МГр. Для того, чтобы добиться этого впечатляющего результата, схему потребовалось серьезно переработать, добавив целую россыпь обратных связей, компенсирующих дозовую утечку. В радстойком варианте примерно в четыре раза больше элементов, чем в обычном, и его энергопотребление в два раза больше. А самая плохая новость заключается в том, что для каждой новой схемы стратегию обеспечения радиационной стойкости и ее реализацию приходится разрабатывать отдельно. А ведь есть еще проблема защиты аналоговых схем от одиночных эффектов, решение которой тоже достаточно плохо формализуется.
Радиационная стойкость и проектные нормы
На сайте одной микроэлектронной фабрики довольно долго красовалось утверждение, что радиационной стойкости нельзя добиться на проектных нормах ниже 600 нм, потому что иначе «заряженные частицы прошивают кремний». По удивительному совпадению, минимальными проектными нормами, доступными той фабрике, были как раз 600 нм. А один высокопоставленный сотрудник другой фабрики сообщал в интервью, что сделать микросхемы для космоса на проектных нормах ниже 90 нм «технологически невозможно». И снова так совпало, что технологически невозможно сделать что-то на нормах ниже 90 нм на этой конкретной фабрике. Маркетинговые причины этих ситуаций и сиюминутная выгода от них вполне понятны, но в долгосрочной перспективе подобные фразы, сказанные на широкую аудиторию, как мне кажется, приносят больше вреда, чем пользы.
Также регулярно встречаются не привязанные ни к какому маркетингу рассуждения о том, что микросхемы, выполненные по проектным нормам грубее некоторого предела, иммунны к разрушающим одиночным сбоям (в частности, к тиристорному эффекту), а значит многолетнее использование давно устаревших технологий не только оправдано, но и необходимо.
Или наоборот, фразы о том, что к тиристорному эффекту иммунны микросхемы с проектными нормами ниже 250 нм, потому что у них настолько низкие рабочие напряжения, что тиристор просто не может открыться. Или есть мнения, что на самом деле проблема не в проектных нормах, а в том, что КМОП-технология принципиально уязвима к радиации (что подтверждается сделанными заявителем в семидесятых испытаниями), а старые радстойкие чипы — биполярные/КНС/GaAs. А раз КМОП-технология принципиально плоха, но все современные чипы делаются на ней — это значит, что современные чипы нерадстойкие по определению, и единственный верный путь для космонавтики — вложение денег в доведение до ума давно заброшенного арсенида галлия (заодно и на коммерческом рынке Intel победим) или возврат к проверенной временем дискретной логике. А еще лучше — к лампам.
Радстойкие — значит старые и отсталые?
Справедливости ради, надо отметить, что в проектных нормах около пары микрон и больше действительно обычно не бывает ни тиристорного эффекта, ни одиночных сбоев — просто потому, что для переключения элементов на таких проектных нормах нужна очень большая энергия. При нормальной работе — тоже, так что хотелось бы пожелать тем, кто предлагает продолжать пользоваться старыми микросхемами, попробовать собрать процессор Intel Core на логике 74 серии, и подумать, какая ракета вообще способна будет поднять в воздух получившегося монстра.
С другой стороны, не процессорами едиными жива микроэлектроника. Существует огромное количество задач, для которых совсем маленькие проектные нормы не нужны или не настолько обязательны, и вполне хватает уровней 500–90 нм. Мировой коммерческий рынок микросхем на пластинах диаметром 200 мм (а это проектные нормы 90 нм и выше) уже несколько лет растет, вплоть до дефицита производственного оборудования. На «устаревших» проектных нормах производятся как давно разработанные, так и совершенно новые микросхемы, и многие фабрики готовы гарантировать долгосрочное будущее техпроцессов (но не обязательно их полную неизменность). Поэтому «отсталость» той или иной фабрики от условного TSMC вовсе не означает невозможность коммерческого успеха ни на гражданском, ни на спецстойком поприще.
Дороговизна разработки, производства и сертификации радстойких микросхем — еще большая головная боль для производителей, чем в автомобильной или промышленной электронике. Маленькие тиражи (а речь часто идет если не о сотнях, то о тысячах штук) усложняют коммерциализацию подобного рода разработок, ведь если нужно разделить на тысячу чипов миллион долларов (стоимость разработки относительно несложного чипа по нормам 180 нм), то это уже тысяча долларов на чип, а ведь еще нужна с
