Энергонезависимая память с чтением на основе фотоэлектрического эффекта
Нам всем известен почти единственный недостаток современных быстрых модулей оперативной памяти — энергозависимость, в свою очередь у долговременных накопителей оставляет желать лучшего скорость работы. Прототип ферромагнитной памяти нового типа, описанный в Nature Communications, совмещает в себе как скорость, неизнашиваемость и низкое энергопотребление, так и энергонезависимость.
Память нового типа была построена на основе феррита висмута материаловедом Калифорнийского университета в Беркли Рамамуроти Рамешем и специалистом по материалам-оксидам в Наньянском технологическом университете в Сингапуре Юнлинь Ваном.
Обычные нули и единицы битов компьютерной памяти могут быть представлены ферритом висмута как одно из двух состояний поляризации. Переключение между ними возможно при приложении напряжения благодаря физическому явлению сегнетоэлектричества. Ферроэлектрическая ОЗУ на основе других материалов уже представлена на рынке, и её скорость работы высока. Но технология не получила широкого распространения потому, что электрический сигнал, используемый для чтения бита, сбрасывает его, поэтому данные приходится каждый раз перезаписывать заново. В перспективе это ведёт к ухудшению надёжности.
Рамеш и Ван нашли способ использования одного из свойств феррита висмута для чтения массивов памяти без разрушения информации. В 2009 году исследователи в Ратгерском университете продемонстрировали, что материал обладает фотоэллектрическими свойствами в области видимого спектра. Это означает, что при освещении материала создаётся электрическое напряжение, размер которого к тому же зависит от состояния поляризации. Это напряжение можно регистрировать, в то же время яркий свет не меняет состояние поляризации материала и не сбрасывает записанной на него информации.Читать дальше →
