Китайский институт микроэлектроники создал 22нм транзисторы
Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) объявил о том, что им удалось создать транзистор с длиной затвора 22нм (для сравнения, 22нм транзисторы в процессорах Intel имеют длину затвора 26нм). Транзисторы используют металлический затвор и high-k подзатворный диэлектрик (необходимый чтобы уменьшать ток утечки за счет туннелирования электронов через сверх-тонкий слой подзатворного диэлектрика). Транзисторы используют не «затвор с 3-х сторон» в стиле Intel, а более традиционные gate-last транзисторы (когда затвор формируется в последнюю очередь). Читать дальше →
