Это не обычная флеш-память, а масштабируемая сегнетоэлектрическая энергонезависимая память, то есть основанная на ферродиодах — сегнетоэлектрических диодах.

В ферродиодной памяти используется тонкий слой синтезированного пьезоэлектрического нитрида алюминия-скандия (AIScN) толщиной 45 нм. Он обладает способностью сохранять электрические состояния после удаления внешнего электрического поля. Ферродиодная память была протестирована при температуре 600 градусов в течение более 60 часов при напряжении менее 15 В.

Авторы работы говорят, что такая память может пригодиться в очень многих сферах, от космических миссий до глубокого бурения. Но так как это только научная работа, сложно пока что-то говорить о коммерциализации данной технологии.

iXBT прочитано 4640 раз