В университете Райса разработана память RRAM, способная хранить до девяти бит в одной ячейке

Объему памяти, которым наделены современные смартфоны, сравнительно недавно позавидовал бы не только настольный ПК, но и сервер или рабочая станция. В свою очередь, гигабайт-другой памяти — мелочь на фоне того, чем может обернуться разработка специалистов из университета Райса.

Ученые разработали резистивную память с произвольным доступом (RRAM), которая по плотности существенно любую выпускаемую сейчас память. Немаловажно, что для изготовления новой памяти годится имеющееся оборудование.

Ученые уже обратились к производителям с предложением лицензировать разработку Между металлическими электродами новой памяти, изготавливаемыми из золота или платины, находится диэлектрик — пористый оксид кремния, в котором сформированы ячейки памяти. Под действием напряжения, приложенного к электродам, в ячейке формируется или разрушается проводящий канал, изменяя состояние ячейки.

Ученые уже обратились к производителям с предложением лицензировать разработку Использование оксида кремния позволяет использовать опробованные на практике технологии, снижает затраты энергии для перезаписи, делает память устойчивой к нагреву. Что касается затрат энергии, напряжение питания памяти удалось снизить до 2 В — примерно в 13 раз по сравнению с прежними образцами. Что касается плотности, новая память многократно превосходит, например, флэш-память. Как и в случае флэш-памяти, ячейка является многоуровневой. Но если в одной ячейке памяти TLC NAND получается хранить до трех бит, то в ячейке RRAM — до девяти. По оценке участников проекта, чип размером с почтовую марку может иметь терабайтный объем.

Ученые уже обратились к производителям с предложением лицензировать разработку.

Источник: Университет Райса

Теги: RRAMКомментировать

©  iXBT