UMC берется за разработку 14-нанометрового техпроцесса, построенного на использовании транзисторов FinFET
Освоение более тонких норм техпроцесса требует перехода к транзисторам FinFET, размеры которых уменьшены за счет вертикальной компоновки. По данным источника, уверенность в этом на днях выразил господин Ши-Вэй Сунь (Shih-Wei Sun), генеральный директор компании UMC. Планы этого контрактного производителя включают разработку 14-нанометрового техпроцесса, построенного на использовании транзисторов FinFET.
По мнению руководителя UMC, использование FinFET позволит производителям удерживать темпы повышения степени интеграции, соответствующие закону Мура.
На практике следование известной эмпирической закономерности на современном этапе связано со значительными трудностями, одна из которых - большие затраты на разработку и освоение каждого следующего шага технологических норм. Пример 20-нанометрового техпроцесса показал, что темпы снижения удельной стоимости чипов при уменьшении норм стали снижаться.
Чтобы переход был экономически оправдан, на каждом следующем этапе повышение объемов и снижение удельной стоимости должно составлять не менее 25%. В то же время при переходе от 28 нм к 20 нм из-за возросших затрат на оборудование для двойного формирования структур удалось получить показатель лишь 15%.
Технологию FinFET компания UMC лицензирует у IBM. При этом 14-нанометровые транзисторы планируется совмещать с 20-нанометровой металлизацией, что поможет сократить расходы и сроки освоения технологии. Насколько известно, таким же путем решили пойти в Globalfoundries .
Источник: DigiTimes
#vk© iXBT
