Toshiba представила самый быстрый контроллер встраиваемой флэш-памяти NAND, соответствующий спецификации JEDEC UFS 2.0
Специалистами Toshiba создан, как утверждается, самый быстрый в мире контроллер встраиваемой флэш-памяти NAND, соответствующий спецификациям JEDEC Universal Flash Storage (UFS) Ver.2.0 и UFS Unified Memory Extension (UME) Ver.1.0. Модуль встраиваемой флэш-памяти NAND с этим контроллером демонстрирует примерно десятикратное превосходство по производительности на операциях чтения с произвольным доступом над модулями e•MMC, широко используемыми сейчас в мобильных устройствах. По словам Toshiba, контролер позволяет получить производительность твердотельного накопителя для ПК в компоненте размером с ноготок.
Потребность в быстродействующей флэш-памяти для мобильных устройств растет по мере увеличения устанавливаемого в них объема памяти типа DRAM и повышения производительности используемых в них процессоров.
Современные модули встраиваемой памяти NAND все хуже справляются с сохранением всех данных, необходимых для выполнения получаемых от хоста команд, во встроенной памяти RAM своего контроллера, поскольку объем этих данных растет. Контроллеру приходится обрабатывать большое количество запросов на чтение, сохраняемых во флэш-памяти, в результате чего работа замедляется. Исправить ситуацию привычными методами невозможно, поскольку чтение из NAND требует десятков микросекунд.
В новом контроллере проблема решена радикально, поскольку данные для исполнения команд, полученных от хоста, хранятся в памяти DRAM на стороне хоста. Это сокращает количество операций чтения из флэш-памяти NAND. Как утверждается, при этом вдвое сокращается время, необходимое для выполнения команды чтения. Процедура записи данных контроллером в DRAM на стороне хоста и чтения данных оттуда описана в спецификации UFS UME Ver.1.0, опубликованной одновременно с UFS Ver.2.0.
Кроме того, специалисты Toshiba разработали аппаратный блок, выполняющий операции чтения параллельно. За счет его интеграции в контроллер производительность удалось поднять еще в два раза.
Эти разработки Toshiba нашли применение в модулях встраиваемой памяти NAND с контроллером, развивающих производительность более 60 000 IOPS при чтении с произвольным доступом блоками по 4 КБ. Это примерно в 10 раз больше, чем у модулей, соответствующих спецификации e•MMC Version 5.0.
Ознакомительные образцы модулей должны появиться в этом полугодии.
Источник: Toshiba
#vk
© iXBT
