SK Hynix запускает производство 96-слойной 4D NAND флеш-памяти
Южнокорейская компания SK Hynix догнала остальных производителей NAND-флеш в плане освоения производства 96-слойной памяти 3D NAND. Но на этом она решила не останавливаться. Память с 96-слоями переименована в 4D NAND и станет уникальным предложением на рынке. Но эта уникальность будет заключаться только в необычном названии. Если поскрести 4D NAND SK Hynix, то ничего уникального там обнаружить нельзя, да и не было там ничего.
По словам компании, 96-слойная 512-Гбит 4D NAND TLC впервые сочетает ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash) и технологию PUC (Peri. Under Cell). Технология PUC представляет собой перенос части или даже всех периферийных цепей, таких как контроллер массива, управление и питание и другое под массив ячеек, что заметно снижает площадь кристалла. Так, в компании заявляют, что по сравнению с 72-слойной 512-Гбит 3D NAND площадь кристалла 96-слойной 512-Гбит 4D NAND уменьшена на 30%, а выход чипов с пластины увеличен на 49%. Это отлично, однако вовсе не уникально. Аналогичную технологию под названием CMOS under the array (CuA) используют компании Intel и Micron, и в следующем году будет использовать Samsung.
Что касается ячейки с ловушкой заряда, то SK Hynix всегда в памяти 3D NAND использовала эту технологию, соответственно, как и компания Samsung. Память 3D NAND с ячейкой с плавающим затвором выпускают компании Intel и Micron, но со следующего года Micron тоже перейдёт на ячейку с ловушкой заряда. Такая ячейка меньше, чем ячейка с плавающим затвором и проще при производстве. Тем самым можно констатировать, что SK Hynix мягко говоря ошибается, когда утверждает об уникальности 4D NAND. Но бог с ней. Главное — пусть выпускает. Кстати, обещают начать массовое производство до конца года. Однако надо понимать, что это будет выпуск образцов, которые пока никак не окажут влияния на рынок.
Кроме снижения площади кристалла, читай — уменьшения себестоимости, память 4D NAND обещает на 30% увеличить производительность на операциях записи и на 25% на операциях чтения. Скорость обмена по интерфейсу возрастёт до 1200 Мбит/с при напряжении 1,2 В. До конца года на новой памяти компания обещает выпустить 1-Тбайт клиентский SSD на фирменном контроллере и с фирменной прошивкой (в эти сроки, повторимся, верится с трудом). Во второй половине 2019 года на памяти 4D NAND выйдет корпоративный SSD, а в первой половине 2019 года — UFS-накопитель 3.0. Также в первой половине 2019 года компания обещает выпустить образцы 1-Тбит 96-слойной 4D NAND TLC и образцы 1-Тбит 4D NAND QLC во второй половине 2019 года.
