Samsung разрабатывает "умные" SSD с программируемыми матрицами на борту
Недавно корпорация Samsung провела мероприятие для отраслевых аналитиков и прессы, на котором рассказывала не только о сроках внедрения технологических норм 7 нм, 5 нм и 3 нм. Как уточняют коллеги с сайта EE Times, внимание было уделено и совершенствованию выпускаемых Samsung микросхем памяти и твердотельных накопителей. Сообщается, например, что Samsung разрабатывает подложку, которая позволит оснащать профильные решения памятью класса HBM с восьмиярусной компоновкой. Пропускная способность HBM в перспективе должна вырасти с 307 до 512 Гбайт/с, как уточняют представители компании. Скорее всего, случится это уже в рамках поколения HBM3.
Память типа GDDR6 в своём развитии может достичь скоростей передачи 22 Гбит/с, как отмечает Samsung. В планах компании значится выпуск «умных» твердотельных накопителей, оснащаемых программируемыми матрицами Xilinx Zynq (на фото), которые позволят поднять уровень быстродействия в специфических задачах в 2,8 — 3,3 раза. Впрочем, пока это только прототип, который далёк от статуса серийного изделия.
