Samsung показала первую рабочую память MRAM

17.01.2022, 14:58
Samsung Electronics сегодня объявила о демонстрации первых в мире вычислений магниторезистивной оперативной памяти. Если все пойдет успешно, уже совсем скоро этот вид «оперативки» получат все выпускаемые компьютеры.
Никита Шевцев
Samsung показала первую рабочую память MRAM

Оперативная память будущего уже не за горами: корейская компания представила первый хорошо работающий прототип MRAM

В стандартной компьютерной архитектуре данные хранятся в микросхемах памяти, а обработка данных проводится в отдельных процессорных микросхемах. Вычисления внутри памяти — это новая парадигма, в которой хранение данных и вычисления будут происходить на одних микросхемах. Поскольку эта схема может обрабатывать большой объем данных, хранящихся в самой сети памяти, без необходимости перемещения информации, а также благодаря параллельной работе систем, ее энергопотребление будет значительно ниже современных аналогов. 

Вычисления внутри памяти стали одной из перспективных технологий для реализации на полупроводниковых микросхемах ИИ следующего поколения с низким энергопотреблением. По этой причине во всем мире активно ведутся исследования в этой области. Энергонезависимая память, в частности RRAM (резистивная память с произвольным доступом) и PRAM (Память с произвольным доступом с изменением фазы), активно использовались для демонстрации вычислений в памяти.

Напротив, до сих пор было трудно использовать MRAM — другой тип энергонезависимой памяти — для проведения вычислений внутри памяти, несмотря на такие достоинства MRAM, как скорость работы, долговечность и крупномасштабное производство. Эта трудность связана с низким сопротивлением MRAM, из-за которого она не может позволяет снижать энергопотребление при использовании в стандартной архитектуре.

Исследователи Samsung Electronics предложили решение этой проблемы с помощью архитектурной инновации:  им удалось разработать микросхему с массивом MRAM, в которой стандартная архитектура с суммой токов заменена новой архитектурой с суммой сопротивлений. Это решает проблему малых сопротивлений отдельных устройств MRAM. В проведенных испытаниях чип на основе этой технологии смог достичь точности 98% в классификации написанных от руки цифр и 93% точности в распознавании лиц на картинках.

©  Популярная Механика