Samsung начала серийное производство модулей памяти DDR4 на базе технологии 3D TSV
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства модулей DDR4 RDIMM 64 ГБ, в которых используется технология пакетов 3D TSV. Новые высокопроизводительные модули с высокой плотностью будут играть ключевую роль в распространении корпоративных серверов и облачных приложений, а также в дальнейшей диверсификации решений для центров обработки данных, сообщили CNews в Samsung.
Новые модули RDIMM включают 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых состоит из четырех 4-гигабитных кристаллов DDR4 DRAM. Чипы с низким энергопотреблением производятся с использованием современного технологического процесса Samsung класса 20 нм и технологии пакетов 3D TSV.
«Представляя энергоэффективные модули DDR4, собранные с использованием технологии 3D TSV, мы делаем большой шаг по направлению к массовому рынку DDR4, который должен значительно расшириться благодаря ожидаемому появлению центральных процессоров нового поколения во второй половине этого года», — заявил Джихо Баик, вице-президент, отдел маркетинга решений памяти, Samsung Electronics.
В целом, как отметили в компании, серийное производство модулей 3D TSV знаменует собой новый этап в истории технологий памяти, который следует после того, как Samsung впервые начала производить флэш-память 3D Vertical NAND (V-NAND) в прошлом году. В то время как в технологии 3D V-NAND используются высокие вертикальные структуры массивов ячеек внутри монолитного кристалла, 3D TSV — это инновационная технология построения пакетов, которая позволяет соединять между собой вертикальные слои кристаллов, пояснили в компании.
«Для создания пакета 3D TSV DRAM кристаллы DDR4 стачиваются до толщины всего лишь в несколько десятков микронов, после чего в кристаллах создаются сотни мельчайших отверстий. Они вертикально соединяются между собой с помощью электродов, которые пропускаются через отверстия, — рассказали представители Samsung. — Благодаря этому новый модуль 64 ГБ TSV имеет в два раза большую производительность по сравнению с модулем 64 ГБ, где в пакетах используется проводной монтаж. Кроме того, энергопотребление модулей снижается приблизительно в два раза».
В будущем, по мнению представителей Samsung, будет возможно соединять между собой более чем четыре кристалла DDR4, используя технологию 3D TSV, что позволит создавать модули DRAM с еще более высокой плотностью. Это позволит ускорить расширение рынка решений памяти премиум-уровня, а также переход с памяти DDR3 на память DDR4 на рынке серверов.
Samsung оптимизирует технологию 3D TSV с того момента, когда впервые были разработаны модули 8 ГБ DRAM RDIMM класса 40 нм в 2010 г. и модули 32 ГБ DRAM RDIMM класса 30 нм в 2011 г., в которых использовалась технология 3D TSV. В этом году компания начала использовать новую систему производства пакетов TSV, предназначенную для серийного производства новых серверных модулей.
По данным исследований Gartner, мировой рынок DRAM, как ожидается, достигнет объема в $38,6 млрд и 29,8 млрд единиц (эквивалент 1Gb) к концу года. Аналитики также прогнозируют, что на серверный рынок придется более чем 20% производства модулей DRAM в этом году, что приблизительно соответствует 6,7 млрд единиц (эквивалент 1Gb).
© CNews
