Samsung начала массовое производство микросхем памяти GDDR5 плотностью 8 Гбит
15 января 2015, 20:12
Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства первых в отрасли микросхем памяти GDDR5 плотностью 8 Гбит. Сообщается, что выпускаться память будет по 20-нм технологии.
Новые микросхемы предназначаются для использования в видеокартах для ПК и суперкомпьютеров, игровых консолях и ноутбуках. Samsung уверена, что с возрастающей популярностью 3D игр и UHD контента, вскоре значительно повысится спрос на высокопроизводительную память с высокой пропускной способностью.
Компания подчеркивает, что теперь будет достаточно использовать только восемь микросхем, чтобы получить объем к 8 Гбайт. Новая память передает данные со скоростью 8 Гбит/с в расчете на один вывод, что более чем в четыре раза превосходит показатель памяти DDR3. При этом каждая микросхема передает данные по 32 выводам.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор пяти наборов памяти DDR3 объёмом 32 Гбайт. Восемь гигабайт на DIMM для «топовых» сборных ПК — уже привычная картина, даже несмотря на то, что модули меньшей плотности обеспечивают более высокую скорость передачи данных и более низкие задержки. Мы протестировали пять наборов на 32 Гбайт, и попытались вытянуть из них максимум производительности. Подробнее об этом читайте в статье «Память DDR3 объёмом 32 Гбайт: обзор и тест пяти разгоняемых наборов».
Читайте также:
