Samsung идёт на прорыв рубежа в 3 ГГц для чипов в смартфонах
Компания Samsung объявила о расширении партнёрства с британской ARM с целью вывести на рынок первые чипы, изготовленные по 7-нанометровому и 5-нанометровому техпроцессу FinFET, которые будут способны работать с тактовой частотой в 3 ГГц и выше.
Технологии должны найти своё применение в следующем поколении процессорных ядер ARM — Cortex-A76. 7-нанометровый техпроцесс Samsung 7LPP (7 нм, Low Power Plus) должен стать готов к начальному производству во второй половине 2018 года.
Техпроцесс 7LPP станет первым, в котором Samsung начнет использовать для выпуска полупроводниковой продукции литографию в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Техпроцесс 5LPE станет развитием 7LPP и позволит повысить размеры кристаллов и уменьшить энергопотребление.
Напомним, процессорное ядро Cortex-A76 приходит на смену Cortex-A75. Оно опережает Cortex-A73 на 50–150%, а иногда преимущество доходит до десятикратного. Относительно Cortex-A75 производительность увеличена на 35%, энергоэффективность — на 40%, а производительность в задачах машинного обучения выросла в четыре раза. Появление первых однокристальных систем на основе ARM Cortex-A76 ожидается только в следующем году.
Комментировать
© iXBT
