Samsung: высокоскоростной SSD 512 Гбайт на базе новейшей асинхронной DDR NAND памяти
Компания Samsung Electronics представила первый накопитель SSD ёмкостью 512 Гбайт, в котором используется асинхронная DDR NAND память. Великолепная производительность новинки призвана помочь ускорить работу с приложениями обработки данных на портативных ПК премиум класса.
Новый накопитель создан с использованием 32 Гбит чипов, изготовленных по технологическим нормам 30-нанометрового класса, которые компания начала производить в ноябре 2009 года. Асинхронная DDR структура вместе с интерфейсом SATA 3,0 Гбит/с позволяет добиться максимальной последовательной скорости чтения на уровне 250 Мбайт/с и скорости 220 Мбайт/с при последовательной записи, что в среднем примерно в три раза превышает производительность обычного жёсткого диска. С такой скоростью, для сравнения, два стандартных DVD (примерно по 4 Гбайт каждый) могут быть сохранены примерно за минуту.
Также компания Samsung добилась большей энергоэфективности, специально для использования с асинхронной DDR NAND памятью создав контроллер пониженного потребления. В итоге, потребление энергии новинки при активном использовании не превысит показатели накопителя SSD 256 Гбайт, построенного на базе чипов 16 Гбит NAND, созданных по 40 нм техпроцессу. Также контроллер анализирует частоту использования и предпочтения пользователя, чтобы автоматически включать режим низкого потребления, что может продлить срок работы ноутбука от одного заряда на час и больше.
В Samsung 512GB SSD использован улучшенный алгоритм шифрования данных 256bit AES, что повышает безопасность, защищая персональные данные от онлайновых хакеров, или от нежелательного доступа к хранящейся информации в случае установки накопителя в другой ПК или утере ноутбука.
Инженеры Samsung с новым SSD, кроме прочего, обеспечили уменьшение времени загрузки системы и повысили скорость доступа к приложениям, показывая примерно девятикратный рост в производительности при случайном доступе по сравнению с традиционным жёстким диском. А функция интеллектуального управления вместе с Windows 7 TRIM повышает надёжность накопителя в режиме записи.
Компания Samsung планирует приступить к массовому производству 512 Гбайт SSD уже в следующем месяце. С новинкой выбор ёмкости накопителя SSD от Samsung расширяется, и теперь предлагается в пределах от 64 до 512 Гбайт.
Ранее редакция THG сообщала, что новый метод записи для NAND флеш-памяти, разработанный учеными, поможет значительно снизить потребление электроэнергии SSD-накопителями. С помощью новой технологии исследователи из токийского университета снизили рабочее напряжение до 1 В и получили возможность записи на 100 микросхем NAND одновременно, что в итоге вырастает в скорость записи на уровне 9,5 Гбайт/с.
