Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 20-нанометрового класса
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Производитель не приводит точное значение технологических норм, поясняя, что к 20-нанометровому классу относятся техпроцессы, основанные на соблюдении норм от 20 до 29 нм. Серийный выпуск этой памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле.
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 30-нанометрового класса.
Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8 мм. Такая микросхема будет примерно на 20% тоньше, чем микросхема объемом 2 ГБ, изготовленная из четырех кристаллов LPDDR2 плотностью 4 Гбит, изготовленных по нормам 30-нанометрового класса, утверждает производитель. Максимальная скорость новой памяти равна 1066 Мбит/с.
Источник: Samsung Electronics
#vk© iXBT
