Samsung разработала первые чипы памяти DDR3 класса 30 нм
Компания Samsung представила первые в мире 30-нм чипы оперативной памяти DDR3 DRAM, которые значительно увеличивают энергоэффективность и уменьшают стоимость.
30-нм чипы DDR3 объёмом 2 Гбит уменьшают энергопотребление на 30 % по сравнению с 50-нм решениями. 4-Гб модуль памяти для ноутбуков, созданный из таких чипов будет потреблять лишь 3 Вт, что составляет примерно 3 % от всей используемой в среднем ноутбуке энергии.
Благодаря уменьшению площади, 30-нм чипы также позволяют увеличить продуктивность на 60 % по сравнению с 40-нм чипами того же объёма, поэтому их выпуск гораздо более выгоден, чем производство по 50-нм или 60-нм технологиям.
