Память GDDR6 удалось разогнать до 20 Гбит/с при небольшом повышении напряжения
Компания Micron опубликовала исследовательскую статью, посвященную памяти GDDR6. Производители уже начали серийный выпуск этой памяти, превосходящей GDDR5 по скорости и энергетической эффективности. Ожидается, что памятью GDDR6 будут оснащены следующие 3D-карты верхнего сегмента.
Организацией JEDEC стандартизована скорость передачи данных 14 Гбит/с в расчете на линию, что вдове больше возможностей памяти GDDR5. При этом напряжение питания снижено на 10%.
Как показали исследования Micron, потенциал GDDR6 шире. Хотя GDDR6 и является эволюционным развитием GDDR5 и GDDR5X, в архитектуру введены существенные изменения, призванные увеличить пропускную способность. Специалисты Micron продемонстрировали, что память GDDR6, изготовленная компанией и рассчитанная на скорость до 16,5 Гбит/с, может работать быстрее. Небольшим повышением напряжения питания цепей ввода-вывода удалось увеличить скорость до 20 Гбит/с в расчете на линию.
Если спроецировать это достижение на карту с 256-битной шиной памяти, получается пропускная способность 640 ГБ/с. Для сравнения: пропускная способность подсистемы памяти 3D-карты Nvidia GeForce GTX 1080, в которой используется память GDDR5X, поддерживающая скорость 10 Гбит/с в расчете на линию, составляет 320 ГБ/с, а пропускная способность подсистемы памяти 3D-карты Titan V, в которой используется память HBM2 с 3072-разрядной шиной, поддерживающая скорость 1,7 Гбит/с в расчете на линию, составляет 652,8 ГБ/с.
Комментировать
© iXBT
