Накопители Everspin nvNITRO на памяти MRAM демонстрируют производительность 1 500 000 IOPS и неограниченный ресурс


Компания Everspin представила линейку высокоскоростных твердотельных накопителей nvNITRO, которые сам производитель называет ускорителями. Изделия в виде карт расширения PCIe поддерживают NVMe и MMIO.

Первые заказчики уже тестируют образцы nvNITRO

Ключевые достоинства новых SSD — высокая производительность и малая задержка. Производительность на операциях с произвольным доступом достигает 1 500 000 IOPS, задержка не превышает 6 мкс.

Емкость ускорителей, по современным меркам, невелика — линейку открыли модели ES1GB и ES2GB объемом 1 и 2 ГБ соответственно. В них используются микросхемы памяти ST-MRAM DDR3 плотностью 256 Мбит. Позже планируется выпуск моделей объемом 4, 8 и 16 ГБ, в которых будут использоваться микросхемы ST-MRAM DDR4 плотностью 1 Гбит.

Два других достоинства nvNITRO тоже обусловлены использованием памяти ST-MRAM. Это энергонезависимость, исключающая потерю информации при отключении питания, и неограниченный ресурс, устраняющий потребность в алгоритмах распределения нагрузки. Производитель отмечает, что скоростные показатели памяти в процессе эксплуатации не ухудшаются.

В настоящее время первые заказчики уже тестируют образцы nvNITRO. Серийные поставки начнутся во втором квартале. В течение года производитель намерен добавить в линейку nvNITRO накопители типоразмера M.2 и U.2 объемом до 8 ГБ.

Источник: Everspin

Теги: MRAM

Комментировать

©  iXBT