LSI 12 Гбит/с SAS RAID-on-Chip: новый рекорд - более миллиона IOPS
Корпорация LSI продемонстрировала свою технологию следующего поколения - решение 12 Гбит/с SAS RAID-on-Chip (ROC) на форуме разработчиков Intel Developer Forum (IDF), который прошел в Сан-Франциско 13-15 сентября.
Демонстрация на IDF показала, как один 8-портовый 12 Гбит/с SAS ROC IC достигает до 1,2 миллионов IOPS (I/O операций в секунду), приводя в действе небольшой блок последовательных чтений/записей в конфигурации СХД с прямым подключением PCI Express 2.0 и восемью 2,5-дюймовыми дисками 6 Гбит/с Seagate SAS. LSI SAS ROC объединяет в себе самые последние достижения в SAS и технологию PCI Express, а также инновационные аппаратные ускорители LSI, и создан для обеспечения высокой производительности I/O, твердотельных накопителей уровня enterprise и серверных платформ, основанных на характеристиках PCI Express 3.0.
Основанный на LSI SAS архитектуре четвертого поколения, 12 Гбит/с SAS ROC обеспечивает IOPS производительность, улучшенную на 57%, и на 45% увеличенную пропускную способность I/O по сравнению с предыдущими поколениями 6 Гбит/с SAS ROC. Для достижения одного миллиона IOPS с помощью продукта предыдущего поколения потребуется множество устройств SAS ROC и двенадцать жестких дисков, что обернется высокой стоимостью владения, увеличением потребления электроэнергии, расходов на охлаждение и дополнительное пространство для размещения. Интеграция 12 Гбит/с SAS ROC в следующее поколение систем, основанных на PCI Express 3.0, будет обеспечивать еще более высокие уровни производительности.
По данным отраслевых оценок, адаптация 12 Гбит/с SAS на рынке начнется с выпуска отдельных компонентов и устройств и будет набирать обороты, когда OEM начнут объемные поставки серверов и СХД 12 Гбит/с SAS. Эти объемные поставки серверов 12 Гбит/с SAS, согласно оценкам, планируются на самое начало 2013 года, а системы внешнего хранения данных будут доступны к середине-концу 2013. Более подробная информация о портфеле LSI SAS доступна на сайте производителя.
В этом году представителей THG пригласили для участия в конференции Flash Memory Summit 2011, в рамках которой поднимаются вопросы проблематики развития технологий флеш-памяти и рынка накопителей на её основе. Наши представители рассказали о перспективах решений на основе флеш-памяти со стороны потребителей и корпоративных пользователей. В рамках двух секций конференции, THG открыла немало фактов, о которых умалчивают производители. Именно поэтому программа выступлений наших специалистов вызвала пристальное внимание участников мероприятия. Подробнее о поднятых вопросах можно узнать в статье «Flash Memory Summit 2011: выступление THG».
