Intel и Micron запускают производство 25 нм NAND памяти
Совместное предприятие корпорации Intel и Micron Technology компания IMFT (IM Flash Technologies) заявила о готовности к выпуску NAND-памяти по 25-нм технологическому процессу. При создании чипов будет использоваться многоуровневая структура ячеек с плотностью данных 2 бита на ячейку. технология позволит производить более емкие решения с меньшим коэффициентом затрат и позволит примерно в два раза увеличить емкость памяти из расчета на доллар стоимости. По мнению аналитиков, это может привести к ощутимому падению цен на SSD накопители уже в ближайшее время. Старт массового производства новых чипов памяти запланирован на 2-й квартал текущего года. Появление первых накопителей Intel X25-M третьего поколения ожидается в четвертом квартале 2010. Предположительно, их емкость может составить 160, 320 и 600 Гб.
© hpc.ru
