Intel и Micron: 25-нм NAND-память «три бита на ячейку»
Корпорация Intel и компания Micron Technology сообщили о начале поставок NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек, каждая из которых способна хранить три бита данных (3 bit per cell, 3bpc). Новые микросхемы изготавливаются в соответствии с нормами 25-нанометрового техпроцесса, благодаря чему достигается наибольшая емкость при наименьших размерах. Поставки образцов микросхем производятся некоторым производителям, а серийное производство планируется начать к концу текущего года.
Новые модули памяти 3bpc, изготавливаемые с применением 25-нм техпроцесса, вмещают по 64 Гбит данных. По сравнению с продуктами предыдущих поколений они обладают меньшей себестоимостью и увеличенной емкостью и предназначены для USB-накопителей, карт памяти и потребительской электроники.
Новая технология разработана совместным предприятием IM Flash Technologies (IMFT). В модулях NAND 64 Гбит (8 Гбайт) каждая ячейка хранит по три бита данных против двух бит в технологии предыдущего поколения. Это трехуровневая ячейка (triple-level cell, TLC).
Новый модуль на 20% компактнее по сравнению с другими модулями аналогичной емкости, производимыми Intel и Micron на базе технологии 25 нм MLC и в настоящее время являются самым миниатюрным чипом емкостью 8 Гбайт в серийном производстве. Компактность играет важную роль для карт памяти. Площадь изделия составляет 131 кв.мм, оно помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP).
Ранее редакция THG.ru сообщала, что компания Samsung Electronics представила первый накопитель SSD ёмкостью 512 Гбайт, в котором используется асинхронная DDR NAND память. Великолепная производительность новинки призвана помочь ускорить работу с приложениями обработки данных на портативных ПК премиум класса.
