Intel и Micron начали поставки 25-нм флэш-памяти на базе технологии 3-bit-per-cell
Intel и Micron Technology объявили о начале поставок пробных образцов микросхем NAND-памяти на базе многоуровневой структуры ячеек, при которой каждая ячейка способна хранить три бита данных (3-bit-per-cell, 3bpc). Новые чипы емкостью 64 Гбит (8 ГБ) изготавливаются на базе 25-нм техпроцесса. Массовое производство планируется начать к концу 2010 г.
Напомним, что в феврале компании приступили к поставкам пробных образцов памяти на базе 25-нм техпроцесса, а в мае 2010 г. IMFT, совместное предприятие между Intel и Micron, объявило о начале массового производства таких чипов.
Теперь же Intel и Micron объединили вместе две технологии: 3bpc и 25 нм. Полученное решение оказалось на 20% меньше в сравнении с модулями такой же емкости, поступившими в серийное производство в конце весны. Площадь нового решения составляет 131 мм2, оно помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP).
© CNews
