Intel достигла некоторых успехов в 32 нм производстве

Корпорация Intel в лице главного вице-президента Ананда Чандрасихера (Anand Chandrasekher) продемонстрировала готовую 300 мм пластину, созданную по 32 нм технологическому процессу, что позволяет размещать на одном кристалле около 2 миллиардов транзисторов.

Однако, внедрение технологии на рынок планируется не ранее 2009 года. Это время потребуется для отладки процесса производства. Следует отметить, что примерно в это же Intel должна представить свою дискретную видеокарту Larabee. Возможно, она будет произведена по новому 32 нм техпроцессу.

Источник: Fudzilla

©  nvWorld.ru