IBM и TDK разрабатывают новый тип памяти STT-RAM
Компании IBM и TDK объединили усилия для разработки нового типа памяти STT-RAM (Spin Torque Transfer Random Access Memory). Принцип действия чипа заключается в следующем: на магнит подается электрическое напряжение для изменения направления магнитного поля, это в свою очередь вызывает изменения в сопротивлении. Перемены в сопротивлении регистрируются как нули и единицы. Сейчас компании работают над 65 нм чипом, который появится в течение 4 лет.© CNews
