IBM и AMD создали микрочип, выполненный по литографии дальним ультрафиолетом
Корпорации IBM и AMD объявили о создании тестового микрочипа, критические слои которого выполнены при помощи литографии дальним ультрафиолетом. Дальний ультрафиолет имеет длину волны 13.5 нм, обработка слоев чипа выполнялась в условиях вакуума. Ранее компании уже добивались определенных успехов в этих начинаниях, однако, при помощи этой технологии удавалось обрабатывать лишь некоторую часть верхних слоев микрочипов. Результаты совместной работы IBM, AMD и их партнеров из UAlbany NanoCollege's Albany NanoTech Complex представлены AMD на бумаге для публикации в научном сообществе SPIE.
Бумаги отображают интегрирование "полномасштабной" ДУ-литографии в 45-нм производственный процесс в тестовый микрочип ADM размерами 22 x 33 мм. Чип был изготовлен на Заводе 36 в Дрездене и верние слои его текстурировались при помощи обычной 136-нм иммерсионной литографии, затем он отправлен IMB, специалисты которой при помощи оборудования своих партнеров в технологическом колледже города Олбани, применили ДУ-литографию для глубинных, критических слоев. Далее он был снова отправлен в Германию для доработки, и, в итоге, AMD смогла представить первый работающий прототип. По мнению ученых, ДУ-литография сможет к 2016 году стать основной технологией в производстве микрочипов.
© TechLabs
