Hynix переводит NAND флэш-память на 57 нм техпроцесс
В третьем квартале текущего года компания Hynix Semiconductor собралась изменить технологический процесс производства флэш-памяти типа NAND. Теперь она будет изготавливаться путем 57 нм техпроцесса. Ранее Hynix придерживалась 60 нм норм, но вскоре последуют перемены, призванные снизить себестоимость продукции на 20 %. В первой же четверти 2008 года компания Hynix будет вводить 48 нм техпроцесс, но для этого, возможно, потребуется установка нового оборудования на действующие фабрики. Время не щадит, казалось бы, самые современные средства производста. Hynix же пока безоговорочно отстает от своих конкурентов – Toshiba и Samsung. Первая компания уже использует 56 нм техпроцесс, а вторая – 52 нм. Правда, ходят слухи, что Samsung Electronics сталкивается с проблемами при освоении 50 нм технологического процесса при изготовлении своей флэш-памяти.
Сейчас компании Hynix Semiconductor принадлежит около 18.5 % рынка флэш-памяти типа NAND.
© TechLabs
