Hynix начнет выпуск 40-нм модулей DDR3 в третьем квартале 2009 года
Компания Hynix Semiconductor объявила о завершении разработки DRAM DDR3-памяти, выполненной по 40-нм нормам, плотностью 1 гигабит. Новые микросхемы, по заявлению производителя, полностью соответствуют стандарту DDR3 и в скором времени должны пройти сертификацию Intel.Разработанные чипы имеют максимальную скорость передачи данных 2133 Мбит/с и способны работать в широком диапазоне напряжений питания. По сравнению с модулями, выпущенными по нынешней 50-нм технологии, производительность 40-нм гигабитных микросхем DDR3 удалось повысить на 50%. Такой благоприятный эффект связан не только с переходом на более тонкую технологию ...[подробнее]
