G.Skill представила модули памяти DDR4-3333 со сниженными задержками
Компания G.Skill представила на IDF 2016 новые комплекты памяти DDR4–3333, заточенные на работу с платформой Intel Broadwell-E. Хотя модули с такой частотой присутствуют в ассортименте G.Skill уже два года, в этот раз компания уделила внимание другим характеристикам: объему и задержкам.
Не секрет, что задержи ОЗУ с каждым новым поколением памяти необратимо растут: десять лет назад отличным значением считалось 2–2–2–5, теперь оно составляет 13–13–13–33 у комплекта Trident Z DDR4–3333 объемом 64 ГБ, набранном восемью планками. Пару лет назад модули такой частоты демонстрировали задержки 16–16–16–36, так что прогресс в этой области имеется.
Также представлены обновления в семействах модулей G.Skill Trident Z и Ripjaws (типоразмера SO-DIMM). В первом случае объем комплекта достиг 128 ГБ, он также набран восемью планками, а тайминги чуть возросли до 14–14–14–34. Во втором случае суммарный объем 32 ГБ потребовал всего две планки, а задержки составили 16–18–18–43. Все новинки базируются на микросхемах ОЗУ Samsung и работают при напряжении 1,35 В.
Теги:
G.Skill
Комментировать
© iXBT
