Компания Fujitsu разработала высокоскоростной, энергоэффективный модуль ReRAM
Ученые, работающие на компанию Fujitsu – гиганта технологий хранения информации, – разработали новый вид памяти, обеспечивающий небывалую прежде высокую скорость и энергетическую эффективность. Продукт компании Fujitsu Labs, резистивный модуль RAM (ReRAM) – это тип постоянной памяти, сочетающий низкое энергопотребление с небольшими колебаниями величины сопротивления. Память ReRAM – это прорыв в аспекте миниатюризации плюс возможность значительного снижения себестоимости, что означает его привлекательность для внедрения его в технологии флэш-памяти.
Изменив структуру ReRAM добавлением титана (Ti) в оксид никеля (NiO) и ограничением тока на транзисторах, компания Fujitsu Labs успешно снизила необходимые сегодня 100 мкА для стирания памяти на более низкое значение. Кроме того, операция стирания данных занимает всего 5 наносекунд; колебания величины сопротивления, влияющие на качество работы, были снижены до одной десятой от сегодняшних аналогов ReRAM. Компания Fujitsu Labs представляет новую технологию ReRAM как альтернативу флэш-памяти, сочетающую высокую скорость и низкое энергопотребление при низкой цене.
Технология была детально представлена на Международном семинаре по электронным устройствам IEDM (International Electron Devices Meeting), проходившем с 10 по 12 декабря в Вашингтоне.
