Corsair Force SSD: новые накопители от 60 до 240 Гбайт со скоростью до 285 Мбайт/с
Компания Corsair представила три новых дополнения к высокоскоростной серии накопителей SSD Force. Модели F60, F120 и F240 предлагают ёмкость 60, 120 и 240 Гбайт соответственно.
Все накопители Corsair Force созданы с использованием процессоров Sandforce SF-1200 SSD, которые обеспечивают долговечность накопителей, защиту данных ECC и высокую производительность. Инженеры Corsair в тесном сотрудничестве с Sandforce разработали системное ПО, которое предлагает более высокую скорость случайной записи блоками по 4 Кбайт на уровне 180 Мбайт/с, что гарантирует высокую частоту IOPs - до 15 тысяч циклов ввода-вывода в секунду. Все Corsair Force SSD поддерживают команду ATA TRIM в ОС Windows 7, что помогает сохранить оптимальную производительность на весь срок жизни накопителя.
Все три новинки поддерживают максимальную пропускную способность на уровне 285 Мбайт/с чтения и 275 Мбайт/с записи. Накопитель F60 с ёмкостью 60 Гбайт создан для того, чтобы работать в качестве загрузочного и системного диска в производительных системах, и особенно хорошо покажет себя в работе вместе с традиционными накопителями на жестких дисках, используемыми для хранения данных.
«Мы получили отличные отзыва на нашу серию Force F100 и F200 как от прессы, так и от пользователей, и мы с удовольствием расширяем наше предложение накопителей на базе Sandforce, - сказал Джим Карлтон (Jim Carlton), вице-президент по маркетингу компании Corsair. - Эти твердотельные накопители - превосходный выбор для энтузиастов, которым необходимо создать систему с лучшей производительностью системы хранения данных из всех ныне доступных».
Corsair Force F60, F120 и F240 ожидаются в июне, и будут доступны в сети авторизованных дистрибьюторов и реселлеров. Более подробная информация о новинках доступна на сайте производителя.
Ранее редакция THG сообщала, что новый метод записи для NAND флеш-памяти, разработанный учеными, поможет значительно снизить потребление электроэнергии SSD-накопителями. С помощью новой технологии исследователи из токийского университета снизили рабочее напряжение до 1 В и получили возможность записи на 100 микросхем NAND одновременно, что в итоге вырастает в скорость записи на уровне 9,5 Гбайт/с.
