ARM и Samsung создали компилятор для проектирования блоков памяти eMRAM
В сентябре прошлого года компания Samsung поделилась планами о намерениях наладить выпуск контроллеров и другой логики со встроенной памятью eMRAM (магниторезистивная память со случайным доступом). По сравнению с eNAND память eMRAM обещает лучшую устойчивость к износу, более простой (и дешёвый) техпроцесс, а также хорошие скоростные и другие характеристики, свойственные энергонезависимой памяти. Кроме Samsung памятью eMRAM для встраиваемого применения интересуются компании STMicroelectronics и GlobalFoundries. Последняя, например, лицензировала у STMicroelectronics соответствующий техпроцесс.
Но одного техпроцесса мало. Необходимы ещё инструменты проектирования блоков eMRAM в составе решений. Такие инструменты, сообщили на днях в компании ARM, готовы и начнут распространяться в четвёртом квартале текущего года. Речь идёт о компиляторе блоков eMRAM для техпроцесса Samsung 28FDS (28 нм на пластинах FD-SOI). По словам ARM, с помощью компилятора на основе eMRAM IP создан цифровой проект опытного массива eMRAM, подтвердивший работоспособность решения. Новые инструменты позволят клиентам Samsung на техпроцесс 28FDS быстро и без особенных усилий проектировать массивы памяти eMRAM в зависимости от поставленных задач. Что же, это может повысить популярность eMRAM.
Кроме того, ARM сообщила о создании наборов инструментов проектирования (physical IP) с использованием техпроцессов Samsung 7LPP, 5LPE EUV и 11LPP FinFET. Платформа 7LPP будет доступна проектировщикам в третьем квартале 2018 года, платформа 5LPE начнёт распространяться в начале 2019 года, а платформа 11LPP уже доступна для получения. Доступность платформ проектирования под соответствующие техпроцессы открывает перед разработчиками возможность создавать решений для последующего производства.
Новые инструменты позволят проектировать целый спектр решений 7LPP и 5LPE EUV, включая вычислительные и графические ядра. Ожидается, что тактовая частота таких решений превысит 3 ГГц с приемлемым компромиссом между потреблением и площадью кристаллов. Для оптимизации логической архитектуры представлены новые высокоплотные (HD) и сверхвысокоплотные (UHD) ячейки SRAM. Техпроцесс 11LPP нацелен на энергоэффективную встраиваемую, автомобильную и носимую электронику, с частотой решений свыше 2 ГГц. Он основан на техпроцессе 14LPP и, в отличие от техпроцессов 7LPP и 5LPE EUV, не потребует использования сканеров диапазона EUV.
