7-нанометровая SoC Snapdragon 855 будет на 40% быстрее Snapdragon 845
По поводу однокристальной системы Snapdragon 845 многое уже понятно: она будет использовать 10-нанометровый технологический процесс, а дебютирует Snapdragon 845 в смартфонах Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ в начале следующего года.
Известный инсайдер Роланд Куандт (Roland Quandt) на своей страничке в Twitter сообщил, что следом за Snapdragon 845 свет увидит Snapdragon 855. Именно в Snapdragon 855, а не в Snapdragon 845, как предполагалось ранее, будет совершен переход на 7-нанометровый технологический процесс.
Соответствующая информация была опубликовала инженером Qualcomm Джорджем Фэнгом (George Fang) в социальной сети LinkedIn, который подтвердил, что работает над драйверами Linux для Snapdragon 845 и Snapdragon 855.
Также стало известно, что Snapdragon 845 проходит под кодовым названием Napali v2.0, а Snapdragon 855 внутри компании называют Hana v1.0. Превосходство Snapdragon 855 над Snapdragon 845 в плане производительности составит 30–40%, также SoC должна включать процессор искусственного интеллекта.
Предположительно, производством Snapdragon 855 займется TSMC, эта SoC должна использоваться в Samsung Galaxy S10 и Note10.
Теги:
Qualcomm
Комментировать
© iXBT
