Кое-что о 45-и нанометрах
Intel открыла некоторые новые подробности о новом 45-нм техпроцессе на основе так называемых high-k диэлектриков. В основе технологии лежит использование гафния: по заявлению компании, применение этого редкоземельного материала позволит уменьшить ток утечки транзистора (эффект, приводящий к повышению энергопотребления и тепловыделения схемы) в 10 раз по сравнению с использованием традиционного диоксида кремния. В сочетании с использованием в контактах затвора транзисторов металла и ставшими типичными особенностями- медные межконтактные соединения, напряженный кремний, low-k диэлектрики в качестве изоляторов медных проводников – Intel заявляет о своем первенстве в использовании новых материалов в технологии изготовления процессоров.Источник:
vr-zone
