История развития проекта мини-ПК: разгон оперативной памяти и его влияние на производительность
Оглавление
Вступление
Мы продолжаем цикл материалов, посвященных компонентам мини-ПК в кастомном корпусе с процессором Ryzen 5 2400G. В прошлый раз было рассказано о выборе комплектующих и причинах такого подбора, теперь же речь пойдет о разгоне и оптимизации параметров BIOS для системы AMD Ryzen.
Сколько обзоров и диссертаций написано на тему частотозависимости процесоров AMD Ryzen от оперативной памяти, и на первый взгляд лишь ленивый не затронул этот вопрос и не попрекнул инженеров компании нюансами нового поколения CPU.
Поэтому пользователи стали пристальнее обращать внимание на ОЗУ, ее возможности, максимальный потолок разгона. Особенно часты придирки к планкам оперативной памяти, построенным не на тех микросхемах: предпочтение отдается Samsung B-die, вторыми в очереди стоят C-die, D-die, E-die того же производителя, затем идут все остальные.
Но не все так радужно в нашем королевстве. Среди процессоров семейства Summit Ridge и Pinnacle Ridge, построенных на архитектуре Zen (+), особняком стоят Raven Ridge — решения со встроенным графическим ядром. Дело в том, что для AMD Ryzen 3 2200G и Ryzen 5 2400G инженерам пришлось спроектировать иной кристалл, в котором место второго модуля CCX занял iGPU, связанный внутренней шиной Infinity Fabric. Помимо этого оптимизации затронули и контроллер памяти, официально совместимый с модулями DDR4–2933.
Несмотря на это, можно практически уверенно заявить, что потолок разгона ОЗУ у процессоров Raven Ridge ниже собратьев и достигает отметки 3466 МГц, реже 3533 МГц. Данный факт позволяет не гнаться за самыми дорогими и производительными модулями стандарта DDR4, а ориентироваться на более доступные решения. И здесь как раз «зеленым» планкам Samsung нет равных.
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц на микросхемах D-die
Проводить еще один рассказ на тему выбора памяти стандарта DDR4 я не стану, а перенаправлю любознательного читателя в общую ветку.
Но беря во внимание невысокую стоимость своего проекта, лично я остановился на двух планках по 4 Гбайт каждая: двухканальный режим, 8 Гбайт на всю систему и тому подобное. К сожалению, на момент создания миниатюрного ПК вариантов на микросхемах Samsung B-die в продаже не оказалось, пришлось искать решение на базе D-die.
И в данном материале я проведу исследование разгона оперативной памяти и ее влияния на производительность системы в целом, а в следующей статье — на графическую подсистему.
Две планки оперативной памяти Samsung DDR4 2133 МГц M378A5143DB0-CPB OEM 4Gb x2 обошлись мне в 5 900 рублей. Они построены на микросхемах Samsung D-die, дата производства — 51-я неделя 2017 года.
Детальную информацию поведает полезная утилита Thaiphoon Burner. Перед нами 25 нм микросхемы с номинальной частотой 2133 МГц, одноранговые, восемь микросхем по 512 Мбайт.
В профиле JEDEC прописаны эталонные тайминги »15–15–15–36–50-Т1» с номинальной латентностью 13,750 нс.
Возможности MSI BIOS
Материнская плата MSI B350I Pro AC прошита модифицированным BIOS версией 150 от 1usmus, за что ему большое спасибо (активированы скрытые настройки)! Дата релиза 5 мая, из особенностей микропрограммного обеспечения поддержка AGESA 1.0.0.2a, что благотворно для разгона ОЗУ и улучшена совместимость, из недостатков — с майских указов BIOS производители стали вырезать регулировку частоты встроенного графического ядра GFX.
Одним из плюсов материнских плат MSI является тонкая настройка и изменения таймингов и субтаймингов оперативной памяти: главная вкладка с основными параметрами и второстепенными, …
… следующая секция с субтаймингами, сопротивлениями, рейтами и настройками терминатора памяти.
Настройка и оптимизация
Для разгона оперативной памяти на процессорах AMD Ryzen наш соотечественник 1usmus — его имя уже звучало выше, являясь куратором темы по данным CPU, написал очень удобную утилиту для оверклокинга ОЗУ — Ryzen DRAM Calculator (на данный момент версия 1.2.0 Beta 2). С помощью этой программы можно практически уверенно подобрать стабильные тайминги для нужной частоты.
При этом я заранее выяснил, что максимальный разгон для оперативной памяти Samsung DDR4 2133 МГц M378A5143DB0-CPB OEM на материнской плате MSI B350I Pro AC для пары процессоров составил 3466 МГц при SoC = 1.1 В и DRAM = 1.4 В. И после заполнения нужных полей в программе согласно JEDEC утилита показала базовые параметры: просто посмотрите на ужасные, если не «космические» тайминги »22–22–22–44–82-T1».
С таким положением вещей я не собирался мириться и положился на Ryzen DRAM Calculator by 1usmus. Рекомендуемые тайминги для частоты 3466 МГц с микросхемами Samsung D-die оказались интереснее — это »16–18–18–36–58-Т1» опции Fast Preset.
Для справки: микросхемы Samsung B-die могут функционировать при еще более низких значениях: 3466 МГц при »14–14–15–28–44-Т1».
Как говорилось выше, в материнской плате MSI B350I Pro AC есть четыре объединенные секции для изменения таймингов и других параметров оперативной памяти. К сожалению, вкладка «Turn Around Timing Configuration» со второстепенными субтаймингами никак не реагировала на мои правки, поэтому изучить их влияние на производительность не удалось.
Приведу базовые параметры оперативной памяти Samsung DDR4 2133 МГц M378A5143DB0-CPB OEM.
Слева продемонстрированы тайминги из профиля JEDEC при выставлении в BIOS материнской платы при частоте 3466 МГц, справа — после долгих подборов параметров и проверки стабильности.
Стоит отметить, что на системах Ryzen основные тайминги любят четные значения; кроме того, материнские платы MSI при разгоне автоматически выставляют CL в положение 16, поэтому его нужно править вручную.
Полный текст статьи читайте на overclockers.ru
